کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9812418 | 1518113 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A model for non-volatile electronic memory devices with strongly correlated materials
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: A model for non-volatile electronic memory devices with strongly correlated materials A model for non-volatile electronic memory devices with strongly correlated materials](/preview/png/9812418.png)
چکیده انگلیسی
The behavior of a model for non-volatile electronic memory devices is discussed. The resistance switching mechanism that gives place to the memory effect is due to an effective doping driven transition in small domains at the interface.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 486, Issues 1â2, 22 August 2005, Pages 24-27
Journal: Thin Solid Films - Volume 486, Issues 1â2, 22 August 2005, Pages 24-27
نویسندگان
M.J. Rozenberg, I.H. Inoue, M.J. Sánchez,