کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9812428 | 1518113 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electric field tuning of superconductivity in lanthanum-doped strontium titanate field-effect transistors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We report on the electric field modulation of superconductivity in thin-film field-effect transistors based on lanthanum-doped strontium titanate (La:STO) channels with n-type channel carrier densities in the range of 3-7Ã1019 cmâ3 and thickness in the range of 75-150 nm and undoped strontium titanate (STO) gate insulation. Electric field tuning of normal state resistance and channel critical current are observed in both enhancement and depletion modes. Gate modulation of superconductivity at finite frequency has been observed and is consistent with a small-signal analysis.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 486, Issues 1â2, 22 August 2005, Pages 67-70
Journal: Thin Solid Films - Volume 486, Issues 1â2, 22 August 2005, Pages 67-70
نویسندگان
Feng Pan, Charles T. Rogers,