کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9812501 | 1518114 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Epitaxial growth of Ni films by radio frequency sputtering on GaAs(001) with a TiN buffer
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In our experiments, the highly ordered epitaxial growth was obtained with the crystallographic relationship of Ni(001)[001]TiN(001)[001]GaAs(001)[001] by the TiN deposition at 500 °C in N2 gas flowing at 1.0 sccm, followed by the Ni deposition at 300 °C, where the degree of the Ni film epitaxy depends on the TiN thickness. In conclusion, the highest ordered epitaxial Ni film is grown on the 13 nm thick TiN buffer.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 485, Issues 1â2, 1 August 2005, Pages 235-240
Journal: Thin Solid Films - Volume 485, Issues 1â2, 1 August 2005, Pages 235-240
نویسندگان
Kenji Makihara, Arpad Barna, Mituru Hashimoto, Ji Shi, Susumu Maruyama,