کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9812553 | 1518115 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Epitaxial SiC grown on silicon-on-insulator substrate with ultra-thin silicon-over-layer
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We report on the comparative studies of epitaxial SiC films grown on silicon-on-insulator (SOI) and Si bulk substrates. The silicon-over-layer (SOL) on the SOI has been thinned down to different thicknesses, with the thinnest about 10 nm. It has been found that the full-width-at-half-maxim in the X-ray diffraction spectrum from the SiC films decreases as the SOL thickness decreases, indicating improved quality of the SiC film. A similar trend has also been found in the Raman spectrum. One of the potential explanations for the observation is strain accommodation by the ultra-thin SOI substrate.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 484, Issues 1â2, 22 July 2005, Pages 261-264
Journal: Thin Solid Films - Volume 484, Issues 1â2, 22 July 2005, Pages 261-264
نویسندگان
F.Y. Huang, X.F. Wang, G.S. Sun, W.S. Zhao, Y.P. Zeng, E.L. Bian,