کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9812780 | 1518120 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
AlN thin films prepared by optical emission spectroscopy-controlled reactive sputtering
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: AlN thin films prepared by optical emission spectroscopy-controlled reactive sputtering AlN thin films prepared by optical emission spectroscopy-controlled reactive sputtering](/preview/png/9812780.png)
چکیده انگلیسی
AlN films have been deposited by direct current reactive magnetron sputtering using optical emission spectroscopy to control reactive gas (nitrogen) flow. For nitrogen to argon flow ratio between 1:2.5 and 1:2, we have deposited transparent films of aluminium nitride with relatively high deposition rates in the range of 0.3-0.7 nm/s. At the highest deposition rate, we observed the influence of metallic aluminium admixture on the optical properties of films. Free aluminium fraction decreases with increasing substrate temperature during deposition.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 478, Issues 1â2, 1 May 2005, Pages 67-71
Journal: Thin Solid Films - Volume 478, Issues 1â2, 1 May 2005, Pages 67-71
نویسندگان
A. Brudnik, A. Czapla, E. Kusior,