کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9813036 | 1518124 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Dielectric characteristics and thermal stability of Ba6â3xNd8+2xTi18O54 thin films prepared by pulsed laser deposition
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Ba6â3xNd8+2xTi18O54 with x=0.25 (simply BNT) dielectric thin films with a thickness of 320 nm have been prepared by pulsed laser deposition. The analysis results of X-ray diffraction showed that the as-deposited BNT films are amorphous, and the amorphous state is stable against a postannealing at temperature up to 850 °C. The dielectric constant of the BNT films has been determined to be about 80 with a low loss tan δ of about 0.006 at 1 MHz. The frequency dependence of the capacitance-voltage characteristics of BNT metal-insulator-metal capacitors is investigated. With the frequency increasing, the BNT capacitors showed gradually enhanced capacitor nonlinearity, which can be attributed to the Pt/BNT interface traps.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 472, Issues 1â2, 24 January 2005, Pages 208-211
Journal: Thin Solid Films - Volume 472, Issues 1â2, 24 January 2005, Pages 208-211
نویسندگان
Y.D. Xia, G.H. Shi, D. Wu, Z.G. Liu,