دانلود مقالات ISI درباره A1 تعیین مشخصات + ترجمه فارسی

Dielectric properties and high tunability of (1 0 0)- and (1 1 0)-oriented (Ba0.5Sr0.5)TiO3 thin films prepared by pulsed laser deposition

Keywords: A1 تعیین مشخصات; 77.22.−d; 77.55.+f; 77.80.−e; 77.84.−s; A1. Characterization; A3. Laser epitaxy; B1. Oxides; B1. Perovskite; B2. Dielectric materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Rate of radiative and nonradiative recombination in bulk GaN grown by various techniques

Keywords: A1 تعیین مشخصات; 78.55.Cr; 72.20.Jv; 78.47.+p; A1. Characterization; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Evolution of structural and optical characteristics in InAs quantum dots capped by GaAs layers comparable to dot height

Keywords: A1 تعیین مشخصات; 68.65.+g; 78.66.Fd; 85.30.Vw; A1. Characterization; A1. Low-dimensional structures; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Defects in GaN single crystals and homoepitaxial structures

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Crystal structure; A1. Defects; A1. Etching; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Large-scale fabrication of uniform gold nanoparticles in ultrahigh vacuum

Keywords: A1 تعیین مشخصات; 61.46.+w; 81.07.−b; 81.10.Bk; 81.15.Ef; A1. Characterization; A1. Nanostructures; A2. Growth from vapor; B1. Nanomaterials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Crystal growth of B12As2 on SiC substrate by CVD method

Keywords: A1 تعیین مشخصات; 71.20.Nr; 71.55.Eq; 72.80.Ey; 73.61; A1. Characterization; A2. Crystal growth; A3. Chemical vapor deposition processes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Growth technology of piezoelectric langasite single crystal

Keywords: A1 تعیین مشخصات; 47.20.Ma; 81.10.Fq; 81.30.Fb; A1. Characterization; A2. Czochralski method; A2. Growth from melt; A2. Single-crystal growth; B1. Oxides; B2. Piezoelectric materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Effects of PSMA additive on morphology of barite particles

Keywords: A1 تعیین مشخصات; 61.66.Fn; 61.66.−f; 68.35.Bs; 68.55.Jk; A1. Biocrystallization; A1. Characterization; A1. Crystal morphology; A1. Spheres; A2. Growth from solutions; B1. Barium sulfate; B1. Barite;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Zone-levelling Czochralski growth of MgO-doped near-stoichiometric lithium niobate single crystals

Keywords: A1 تعیین مشخصات; 81.10.−h; 61.72.Ss; 42.70.Mp; A1. Characterization; A1. Segregation; A2. Zone-levelling Czochralski method; B1. Growth from solutions; B1. Lithium niobate; B2. Nonlinear optic materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Solvothermal growth and characterization of one-dimensional-nanostructured materials NH4LnF4 and LnF3 (Ln=Nd, Sm, Eu, Gd and Tb)

Keywords: A1 تعیین مشخصات; 61.10.−i; 61.16.Bg; 61.46.+w; 68.65.+g; A1. Characterization; A1. Nanostructures; A2. Solvothermal growth; B1. Fluorocomplex; B1. Lanthanides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Pyramids and domes in the InAs/GaAs(0 0 1) and Ge/Si(0 0 1) systems

Keywords: A1 تعیین مشخصات; 68.37.Ef; 68.47.Fg; 68.55.-a; 68.65.Hb; A1. Characterization; A1. Low-dimensional structures; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting germanium; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Investigation on small growth pits in 4H silicon carbide epilayers

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Defects; A1. Growth pits; A1. Surface defects; B1. Silicon carbide; B1. SiC epilayer;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Diamond growth on faceted sapphire and the charged cluster model

Keywords: A1 تعیین مشخصات; 81.10.Aj; 81.15.Aa; A1. Characterization; A1. Growth models; A1. Interfaces; A1. Nucleation; A1. Substrates; A3. Chemical vapour deposition processes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Crystal structure and electronic structure of GaSe1−xSx series layered solids

Keywords: A1 تعیین مشخصات; 61.10.Nz; 78.20.−e; A1. Characterization; A1. Crystal structure; B2. Semiconducting gallium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Rapid synthesis of gallium nitride powder

Keywords: A1 تعیین مشخصات; 81.05.Ea; 81.20.Ka; 61.10.Nz; 78.30.Fs; 78.60.Hk; A1. Characterization; A1. Synthesis; B1. Bismuth; B1. Gallium nitrides; B1. Powder;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Transparent conductive ZnO thin films on glass substrates deposited by pulsed laser deposition

Keywords: A1 تعیین مشخصات; 78.55.−m; 78.20.−e; A1. Characterization; A1. Growth temperature effect; A1. Photoluminescence; A1. Structural properties; B1. Zinc compound; B3. Semiconducting II-VI materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Heteroepitaxial growth on microscale patterned silicon structures

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. High-resolution X-ray diffraction; A3. Chemical vapor deposition; A3. Selective epitaxy; B1. Germanium silicon alloys;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Characterization of pure and substituted 0.955Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.045PbTiO3

Keywords: A1 تعیین مشخصات; 77.22.−d; 77.84.−s; A1. Characterization; A1. X-ray diffraction; A2. Single-crystal growth; B1. Perovskites; B2. Piezoelectric materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Analysis of solidification parameters during solidification of lead and aluminum base alloys

Keywords: A1 تعیین مشخصات; 81.05.Bx; 81.10.Fq; 81.30.Fb; A1. Characterization; Al. Crystal morphology; Al. Interfaces; Al. Solidification directional; A2. Growth from the melt; B1. Alloys; B1. Metals;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Study on the properties of CuInSe2 ingots grown from the melt using stoichiometric and non-stoichiometric charges

Keywords: A1 تعیین مشخصات; 81. 10.Fq; A1. Characterization; A2. Growth from melt; B2. Semiconducting ternary compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Hexagonal c-axis GaN layers grown by metalorganic vapor-phase epitaxy on Si(0 0 1)

Keywords: A1 تعیین مشخصات; 61.10.Nz; 61.14.Lj; 68.55.Jk; 78.55.Cr; 81.10.Aj; 81.05.Ea; 81.15.Gh; 81.65.Ya; A1. Characterization; A1. Crystal structure; A1. Substrates; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Electron microscopy studies of epitaxial MgB2 superconducting thin films grown by in situ reactive evaporation

Keywords: A1 تعیین مشخصات; 68.37.Lp; 68.55.Jk; 74.70.Ad; A1. Characterization; A1. Crystal morphology; B2. Superconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

BaTiO3 nanocrystals: Hydrothermal synthesis and structural characterization

Keywords: A1 تعیین مشخصات; 81.07.−b; 61.46.+w; 68.37.Lp; A1. Characterization; A1. Crystal morphology; A1. Crystal structure; A2. Hydrothermal crystal growth; B1. Barium compounds; B1. Nanomaterials.;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Alizarin crystals: An extreme case of solvent induced morphology change

Keywords: A1 تعیین مشخصات; 81.10.Aj; 81.10.Dn; A1. Characterization; A1. Crystal morphology; A1. Impurities; A1. Optical microscopy; B1. Organic compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

High-temperature conductivity in chemical bath deposited copper selenide thin films

Keywords: A1 تعیین مشخصات; 81.5.Ln; 68.55.−a; 68.55.−Nq; 74.25.Gz; 73.50.−h; A1. Characterization; A3. Liquid phase epitaxy; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Growth of thick GaN layers with hydride vapour phase epitaxy

Keywords: A1 تعیین مشخصات; 81.15.Gh; 81.40.Wx; 68.55.−a: 78.55.Cr; A1. Characterization; A1. Computer simulation; A1. Defects; A3. Chloride vapour phase deposition; B1. Gallium nitride;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 15 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه