دانلود مقالات ISI درباره A1 تعیین مشخصات + ترجمه فارسی

Influence of substrate polarity of (0 0 0 1) and (0 0 0 1¯)GaN surfaces on hydride vapor-phase epitaxy of InN

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A3. Hydride vapor-phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

MOVPE growth and properties of non-polar InGaN/GaN multiple quantum wells on γ-LiAlO2 substrates

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A3. MOVPE; A3. Quantum wells; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Numerical study of induction heating in melt growth systems—Frequency selection

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Computer simulation; A1. Characterization; A2. Czochralski method; A2. Growth from melt; B1. Metals; B1. Oxides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Microstructural investigation of ZnO films grown on (1 1 1) Si substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Oxides; B1. Zinc compounds; B2. Semiconducting II-VI materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Reduction of the dislocation density in HVPE-grown GaN epi-layers by an in situ SiNx treatment

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Defects; A3. HVPE; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Selective etching of dislocations in GaN grown by low-pressure solution growth

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Etching; A1. Line defects; A3. Liquid phase epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Synthesis and characterization of nickel chains assembled by microspheres via a polymer-free hydrothermal method

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A2. Hydrothermal crystal growth; B1. Nanomaterials; B2. Magnetic materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Optical and electrical properties of lithium doped nickel oxide films deposited by spray pyrolysis onto alumina substrates

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A3. Spray pyrolysis; B1. Metal oxides; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Characterization of bulk GaN crystals grown from solution at near atmospheric pressure

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Growth of epitaxial ZnO films on Si (1 1 1) substrates with Cr compound buffer layer by plasma-assisted molecular beam epitaxy

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Oxides; B1. Zinc compounds; B2. Semiconducting II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Growth, structural, optical, thermal and mechanical studies of novel semi-organic NLO active single crystal: Heptaaqua-p-nitrophenolato strontium (I) nitrophenol

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. X-ray diffraction; A1. Growth from solution; A1. Characterization; B2. Thermal properties; B2. Nonlinear optical crystal

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Growth of single crystals of B28 at high pressures and high temperatures

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A2. Growth from melt; A2. Single-crystal growth; B1. Elemental solids; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Structural and magnetic properties of Co68Fe24Zr8/Al2O3 multilayers

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Crystallites; A3. Physical vapor deposition processes; B1. Metals; B1. Oxides; B2. Magnetic materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Influence of doping and non-stoichiometry on the quality of lead iodide for use in X-ray detection

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Doping; A1. Characterization; A1. Purification; A1. X-ray topography; A2. Bridgman technique; B2. Semiconducting material

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Effect of conductive oxide buffering on structural and nanoscale electrical properties of ultrathin SrTiO3 films on Pt electrodes

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A3. Physical vapor deposition processes; A3. Polycrystalline deposition; B1. Oxides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Influence of sodium fluoride on the synthesis of hydroxyapatite by gel method

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Hydroxyapatite; A1. Biomaterials; B1. Crystal growth; A1. Fluoride; A1. Characterization

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Preparation, crystal structure, spectrographic characterization, thermal and third order nonlinear optical properties of benzyltriethylamine bis(2-thioxo-1,3-dithiole-4,5-dithiolato)nickel(III)

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Crystal structure; A1. X-ray diffraction; A2. Growth from solutions; B1. Organometallic complexes; B2. Nonlinear optic materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Influence of hydrogen on structural and optical properties of low temperature polycrystalline Ge films deposited by RF magnetron sputtering

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. X-ray diffraction; A3. Physical vapor deposition processes; B1. Germanium; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Lactose particle engineering: Influence of ultrasound and anti-solvent on crystal habit and particle size

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Recrystallization; A2. Growth From Solutions; A2. Industrial Crystallization

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 12 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Optimizing the growth of CoSi2 film with oxide-mediated CoSi2 template by silicon cap layer

Keywords: A1 تعیین مشخصات; 68.35.Ct; 81.15.Hi; 66.30.Ny; 61.10.Kw; A1. Characterization; A1. X-ray diffraction; A3. Solid phase epitaxy; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Formation of gallium nitride particles during the two-stage chemical vapor process

Keywords: A1 تعیین مشخصات; 61.05.cp; 78.55.Cr; 81.05.Ea; 81.15.Gh; A1. Characterization; A1. Growth models; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Nitrides; B2. Phosphors; B2. Semiconducting gallium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Growth and characterization of m-plane GaN-based layers on LiAlO2 (1 0 0) grown by MOVPE

Keywords: A1 تعیین مشخصات; 78.55.−m; 78.66.Fd; 78.67.De; A1. Characterization; A1. High resolution XRD; A3. MOVPE; A3. Quantum wells; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

GaAs1-xBixGaAs1-xBix light emitting diodes

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Light emitting diodes71.20.Nr; 71.55.Eq; 78.30.Fs; 78.60.Fi; 78.66.Fd

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Growth of cubic silicon carbide on oxide using polysilicon as a seed layer for micro-electro-mechanical machine applications

Keywords: A1 تعیین مشخصات; 81.15.Gh; 68.55.−a; N61.05.Cp; 68.37.Ps; 68.37.HkA1. X-ray diffraction; A1. Characterization; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Silicon Carbide; B3. MEMS devices

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Hall effect and magnetoresistance analysis by electron-hole coexisting model in AlInSb/InAsSb quantum wells

Keywords: A1 تعیین مشخصات; 72.80.Ey; 73.61.Ey; 73.63.Hs; A1. Characterization; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting indium compounds; B2. InAs; B2. InAsSb; B2. InSb;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Growth and study of nonlinear refraction and absorption in Mg doped LiNbO3LiNbO3 single crystals

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Third-order susceptibility; A2. Czochralski method; B1. Perovskites; B2. Ferroelectric materials; B2. Nonlinear optic materials81.10.Fq; 81.10.−h; 45.65.−k

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Large-scale synthesis of ZnSe nanoribbons on zinc substrate

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Single crystal; A2. Solution-based approach; B1. ZnSe nanoribbons

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Growth and photoluminescence properties of vertically aligned SnO2 nanowires

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Photoluminescence; A1. Nanostructures; B1. Nanomaterials; B1. Sapphire

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Improved growth and characterization of AgGa1−xInxSe2 crystals

Keywords: A1 تعیین مشخصات; 81.10.Fq; 42.70.Mp; 61.05Cp; 81.70.Fy; A1. Characterization; A2. Bridgman method; A2. Single-crystal growth; B1. AgGa1−xInxSe2; B2. Nonlinear optic materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

A simple synthesis of large-scale SiC–SiO2 nanocables by using thermal decomposition of methanol: Structure, FTIR, Raman and PL characterization

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A2. Nanostructure; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting silicon compounds61.46.Km; 62.23.Hj; 63.22.Kn

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Properties of surface and interface structure of AlN/3C–SiC/Ge/Si (1 1 1) heterostructure

Keywords: A1 تعیین مشخصات; 71.20.Nr; 71.55.EqA1. Atomic force microscopy; A1. Characterization; A1. Interfaces; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Sol-gel preparation and photoluminescence properties of Ce3+-activated Y3Al5O12 nano-sized powders

Keywords: A1 تعیین مشخصات; 73.63.Bd; 78.55.Hx; 78.67.Bf; 42.70.−a; 81.05.Je; A1. Characterization; A1. Doping; A1. X-ray diffraction; B2. Phosphors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Growth and characterization of new semiorganic nonlinear optical zinc guanidinium sulfate single crystal

Keywords: A1 تعیین مشخصات; 32; 33; 42.70.a; 42.65.-k; 61.05.cp; 61.50.Nw; 61.66.Hq; A1. Characterization; A1. X-ray diffraction; A1.Etching; A2. Growth from solutions; A2. Single crystal growth; B2. Nonlinear optical material;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Femtosecond laser processing of protein crystals grown in agarose gel

Keywords: A1 تعیین مشخصات; 87.15.B−; 61.05.C−; 81.10.DnA1. Biocrystallization; A1. Characterization; A1. Solid solution; B1. Biological macromolecules

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Synthesis, crystal growth, characterization and structure-NLO property relationship in 1,3-bis(4-methoxyphenyl)prop-2-en-1-one single crystal

Keywords: A1 تعیین مشخصات; 81.10; 42.65; A1. Characterization; A2. Growth from solution; B1. Organic compound; B2. Nonlinear optical material;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Growth temperature dependence of partially Fe filled MWCNT using chemical vapor deposition

Keywords: A1 تعیین مشخصات; 61.46.+w; 81.05.Tp; 81.07.−b; 81.07.De; 81.15.GhA1. Nanostructure; A1. Growth model; A1. Characterization; A3. Chemical vapor deposition process; B1. Carbon nanotube; B1. Iron

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Studies on novel single crystals of tri-nitrophenol methyl p-hydroxybenzoate

Keywords: A1 تعیین مشخصات; 77.84.−s; 71.20.Nr; 42.45.Bs; 81.10.Dn; A1. Characterization; A1. Growth from solution; A1. Organic compounds; B2. Nonlinear optical crystal; B2. Thermal properties;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Optical and electrical properties of CuScO2 epitaxial films prepared by combining two-step deposition and post-annealing techniques

Keywords: A1 تعیین مشخصات; 81.15.Fg; 81.15.Np; 73.61.Le; A1. Characterization; A3. Laser epitaxy; B1. Oxides; B2. Semiconducting ternary compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Growth of sexithiophene crystals on Cu(1 1 0) and Cu(1 1 0)-(2×1)O stripe phase-The influence of surface corrugation

Keywords: A1 تعیین مشخصات; 61.05.C−; 61.50.−; 72.80.Le; A1. Characterization; A1. Crystal structure; A1. X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Organic compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Synthesis and structural characterization of highly 〈1 0 0〉-oriented {1 0 0}-faceted nanocrystalline diamond films by microwave plasma chemical vapor deposition

Keywords: A1 تعیین مشخصات; 81.05.Uw; 81.07.−b; 81.07.Bc; 81.15.Gh; A1. Characterization; A3. Chemical vapor deposition process; B1. Nanomaterials; B1. Diamond;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Multi-analytical study of syntactic coalescence of polytypes in a 6H-SiC sample

Keywords: A1 تعیین مشخصات; 61.72.Ff; A1. Characterization; A1. Defect distribution; A1. Transmission electron microscopy; A1. X-ray diffraction topography; B2. Semiconducting silicon compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Preferential orientation of Te particles in melt-grown CZT

Keywords: A1 تعیین مشخصات; 81.10.Aj; 61.72.uj; A1. Characterization; A1. Crystal morphology; A1. Interfaces; A2. Bridgman technique; B2. Semiconducting cadmium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Synthesis and characterization of Mo3Si single crystal

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Crystal Structure; A1. Surface Structure; A2. Floating Zone Technique; B1. Alloys; B1. Metals;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Red to orange electroluminescence from InP/AlGaInP quantum dots at room temperature

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A3. MOVPE; A3. Quantum dots; B2. Semiconducting indium phosphide; B3. Light emitting diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Growth of red InP/GaInP quantum dots on a low density InAs/GaAs island seed layer by MOVPE

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A3. MOVPE; A3. Quantum dots; B2. Semiconducting indium arsenide; B2. Semiconducting indium phosphide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Growth of Ga-doped ZnO by MOVPE using diisopropylzinc and tertiary butanol

Keywords: A1 تعیین مشخصات; 78.55.Et; 81.15.Gh; 78.30.Fs; 73.61.Ga; A1. Characterization; A1. Doping; A2. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Zinc compounds; B2. Semiconducting II-VI materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Properties of non-polar a-plane GaN/AlGaN quantum wells

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Growth of various antimony-containing alloys by MOVPE

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Crystal structure; A3. Metal organic vapour phase epitaxy; B1. Antimonides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Growth of single-crystal Sb2S3 nanowires via solvothermal route

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Single crystal; A2. Solution-based approach; B1. Sb2S3 nanowires

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Ionothermal synthesis of microporous aluminum and gallium phosphates

Keywords: A1 تعیین مشخصات; 81.05.t; 82.75.z; 81.10.FqA1. Single crystal growth; A1. Characterization; A2. Growth from melt; B1. Phosphates; B1. Gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه