دانلود مقالات ISI درباره A1 اچینگ + ترجمه فارسی

Improvement of a-plane GaN crystalline quality by overgrowth of in situ etched GaN template

Keywords: A1 اچینگ; A1. Etching; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

In situ CBrCl3 etching to control size and density of InAs/GaAs quantum dots

Keywords: A1 اچینگ; A1. Etching; A1. Low dimensional structures; A3. Metal-organic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting gallium arsenide; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Reduction of threading dislocations in GaN on in-situ meltback-etched Si substrates

Keywords: A1 اچینگ; A1. Defects; A1. Surfaces; A1. Etching; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Effects of the diameter of rutile (TiO2) single crystals grown using tilting-mirror-type infrared heating image furnace on solid–liquid interface and etch pit density

Keywords: A1 اچینگ; A1. Etching; A1. Interfaces; A2. Floating zone technique; A2. Single crystal growth; B1. Oxide; B1. Titanium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Optical microcavities fabricated by DBR overgrowth of pyramidal-shaped GaAs mesas

Keywords: A1 اچینگ; A1. Optical microscopy; A1. Etching; A1. Nanostructures; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Arsenates; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

New two-step growth of microcrystalline silicon thin films without incubation layer

Keywords: A1 اچینگ; A1. Crystal structure; A1. Etching; A3. Chemical vapor deposition processes; A3. Two-step growth; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Changes in efficiency of a solar cell according to various surface-etching shapes of silicon substrate

Keywords: A1 اچینگ; A1. Etching; A1. Interface; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Optical properties, micro-crystallization and etching studies of an organic/inorganic hybrid nonlinear optical crystal: 1-Ethyl-3-methyl imidazolium tribromoplumbate (EMITB)

Keywords: A1 اچینگ; A1. Crystal morphology; A1. Etching; A2. Growth from solutions; B2. Nonlinear optic materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Characteristics of the dislocations in CdZnTe crystals revealed by etch pits

Keywords: A1 اچینگ; A1. Line defects; A1. Etching; B1. Cadmium compounds; B2. Semiconducting II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Nucleation kinetics, micro-crystallization and etching studies of l-histidine trifluoroacetate crystal

Keywords: A1 اچینگ; A1. Crystal morphology; A1. Etching; A1. Nucleation; A2. Growth from solutions

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Dissolution kinetics at edge dislocation site of (1 1 1) surface of copper crystals

Keywords: A1 اچینگ; A1. Surface step; A1. Nucleation; A1. Dislocation; A1. Etching; A2. Electrodissolution; B1. Copper;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Stabilities of crystal faces of aragonite-type strontianite (SrCO3) and cerussite (PbCO3) compared by AFM observation of facet formation in acid

Keywords: A1 اچینگ; A1. Atomic force microscopy; A1. Crystal morphology; A1. Etching; B1. Minerals

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Embedded voids formation by overgrowth on GaN nanowires for high-quality GaN films

Keywords: A1 اچینگ; A1. Nanostructures; A1. Line defects; A1. Volume defects; A1. Etching; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

High growth rate 4H-SiC epitaxial growth using dichlorosilane in a hot-wall CVD reactor

Keywords: A1 اچینگ; A1. Doping; A1. Etching; A3. Chemical vapor deposition processes; A3. Hot-wall epitaxy; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Crystal growth and perfection of large octahedral synthetic diamonds

Keywords: A1 اچینگ; A1. Etching; A1. Line defects; A1. Planar defects; A2. Single crystal growth; B1. Diamond

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Investigations of defect evolution and basal plane dislocation elimination in CVD epitaxial growth of silicon carbide on eutectic etched epilayers

Keywords: A1 اچینگ; A1. Defects; A1. Basal plane dislocation; A1. Etching; A3. Chemical vapor deposition processes; A3. Vapor phase epitaxy; B1. Silicon carbide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Threading dislocations in n- and p-type 4H–SiC material analyzed by etching and synchrotron X-ray topography

Keywords: A1 اچینگ; A1. Defects; A1. Doping; A1. Etching; A1. X-ray topography; B1. Silicon Carbide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

The K2S2O8–KOH photoetching system for GaN

Keywords: A1 اچینگ; A1. Etching; A3. Characterization; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Method for modulating the wafer bow of free-standing GaN substrates via inductively coupled plasma etching

Keywords: A1 اچینگ; A1. Etching; A1. GaN substrate; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. GaN

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Single crystal growth of InBi1−xSex by syringe pulling method

Keywords: A1 اچینگ; A1. Etching; A1. Surface structure; A2. Growth from melt; A2. Single crystal growth; B2. Semiconducting III–V material

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Unidirectional growth of sulphamic acid single crystal and its quality analysis using etching, microhardness, HRXRD, UV-visible and Thermogravimetric-Differential thermal characterizations

Keywords: A1 اچینگ; A1. Defects; A1. Etching; A1. High-resolution X-ray diffraction; A1. Impurities; A2. Growth from solutions; A2. Single crystal growth;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Revealing extended defects in HVPE-grown GaN

Keywords: A1 اچینگ; A1. Etching; A1. Defects; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Extended defects in CdZnTe crystals: Effects on device performance

Keywords: A1 اچینگ; A1. Defects; A1. Etching; B2. Semiconducting II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

A proper solution to study the etch pits on LiAlO2 single crystal

Keywords: A1 اچینگ; A1. Defects; A1. Substrates; A1. Etching; A2. Czochralski method; B1. Oxides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Facile and rapid synthesis of zinc oxalate nanowires and their decomposition into zinc oxide nanowires

Keywords: A1 اچینگ; A1. Etching; A1. Nanostructures; A2. Growth from solutions; B1. Nanomaterials; B1. Zinc compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Selective etching of dislocations in GaN grown by low-pressure solution growth

Keywords: A1 اچینگ; A1. Characterization; A1. Etching; A1. Line defects; A3. Liquid phase epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Etching study of dislocations in heavily nitrogen doped SiC crystals

Keywords: A1 اچینگ; A1. Defects; A1. Etching; A1. Single crystal growth; B1. Silicon carbide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Growth and characterization of an organic NLO material ammonium malate

Keywords: A1 اچینگ; 42.70.Mp; 42.70.Qs; 81.10.−h; 77.84.Jd; A1. Etching; A2. Growth from solutions; A2. Single crystal growth; B2. Non-linear optic materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Comparative study on l-alaninium maleate single crystal grown by Sankaranarayanan-Ramasamy (SR) method and conventional slow evaporation solution technique

Keywords: A1 اچینگ; A1. Directional solidification; A1. Etching; A1. Optical microscopy; A1. X-ray diffraction; A2. Growth from solutions;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

On the existence of submicron diameter current shunts in morphologically perfect device layers

Keywords: A1 اچینگ; A1. Defects; A1. Etching; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Heterojunction semiconductor devices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Relation between etch-pit morphology and step retreat velocity on a calcite surface in aspartic acid solution

Keywords: A1 اچینگ; A1. Atomic force microscopy; A1. Etching; A1. Surface structure; B1. Calcium compounds; B1. Minerals; B1. Organic compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Defect reduction of laterally regrown GaN on GaN/patterned sapphire substrates

Keywords: A1 اچینگ; 61.72.Dd; 61.72.Ff; 78.67.De; 81.05.Ea; 81.15.Gh; 85.60.JbA1. Defects; A1. Etching; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B1. Patterned sapphire substrate; B3. Light-emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Feasibility study of barium fluoride films as a sacrificial layer for patterning of ZnO nanowire arrays

Keywords: A1 اچینگ; 81.05.Dz; 81.07.−b; 81.15.Gh; 81.16.−c; A1. Etching; A1. Nanostructures; A3. Metal-organic chemical vapor deposition; B1. Barium fluoride; B1. Zinc oxide; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Influence of micro-impurity on protein crystal growth studied by the etch figure method

Keywords: A1 اچینگ; 61.72.Ff; 61.72.sh; A1. Biocrystallization; A1. Etching; A1. Impurities; B1. Lysozyme;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Morphology of MgO smoke crystallites upon etching in wet environment

Keywords: A1 اچینگ; 61.46.−w; 68.35.−Md; 68.37.−Lp; 68.43.−h; 68.47.−GhA1. Adsorption; A1. Etching; A1. Crystal Morphology; B1. Oxides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

On-axis homoepitaxial growth on Si-face 4H–SiC substrates

Keywords: A1 اچینگ; 81.10.−h; 61.72.Nn; 61.72.Ff; 81.65.Cf; 81.15.Gh; 81.65.−b; 82.40.−g; 68.37.PsA1. Atomic force microscopy; A1. Etching; A3. Hot wall epitaxy; B2. Semiconducting materials; B3. Bipolar transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Angle-resolved XPS structural investigation of GaAs surfaces

Keywords: A1 اچینگ; 71.20.Nr; 71.55.Eq; 78.70.−g; 81.65.Cf; 82.80.PvA1. Characterization; A1. Etching; A1. Surfaces; B1. Inorganic compounds; B2. Semiconducting gallium arsenide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

In-situ surface preparation of nominally on-axis 4H-SiC substrates

Keywords: A1 اچینگ; 81.65.CF; 81.15.GH; 81.65.−b; 82.40.−g; 68.37.Ps; 61.72.Ff; A1. Atomic force microscopy; A1. Etching; A3. Chemical vapor deposition processes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Study of triangular defects and inverted pyramids in 4H-SiC 4° off-cut (0 0 0 1) Si face epilayers

Keywords: A1 اچینگ; 81.15.Gh; 81.10.Aj; 81.10.Bk; 81.05.Hd; A1. Characterization; A1. Defects; A1. Etching; A3. Chemical vapor deposition processes; A3. Hot wall epitaxy; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

The influence of free-carrier concentration on the PEC etching of GaN: A calibration with Raman spectroscopy

Keywords: A1 اچینگ; 78.30.Fs; 81.05.Ea; 81.65.Cf; 81.70.FyA1. Defects; A1. Etching; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

The reactive ion etching characteristics of AlGaN/GaN SLs and etch-induced damage study of n-GaN using Cl2/SiCl4/Ar plasma

Keywords: A1 اچینگ; 52.77.−jA1. Defects; A1. Etching; A1. Surfaces; A3. Superlattices; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Laser diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Island motion triggered by the growth of strain-relaxed SiGe/Si(0 0 1) islands

Keywords: A1 اچینگ; 68.65.Hb; 81.15.Hi; 68.47.Fg; 68.37.Ps; 81.65.Cf; A1. Atomic force microscopy; A1. Etching; A1. Surface structure; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Germanium silicon alloys;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Orthodox etching of HVPE-grown GaN

Keywords: A1 اچینگ; A1. Defects; A1. Etching; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Growth of 4H-SiC on rhombohedral (0 1 1¯ 4) plane seeds

Keywords: A1 اچینگ; 81.05.Hd; 81.65.Cf; 61.72.Lk; 61.72.Mm; 61.72.NnA1. Defects; A1. Etching; B1. Silicon carbide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Investigations on the growth and characterization studies of cadmium thiourea acetate (CTA) single crystals

Keywords: A1 اچینگ; 81.10.Dn; 81.65.Cf; 78.55.−m; 72.40.+w; 77.22.Ej; 61.66.Hq; 61.43.−j; 07.57.kp; 51.70.+fA1. Dielectric polarization; A1. Etching; A1. X-ray diffraction; A2. Growth from solution; A2. Photoconductivity; A2. Photoluminescence

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Wet KOH etching of freestanding AlN single crystals

Keywords: A1 اچینگ; 81.65.Cf; 81.05.Ea; 61.72.Ff; 61.72.LkA1. Crystal structure; A1. Defects; A1. Etching; B1. Nitrides; B2. Semiconducting aluminum compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Kinetic inhibition of calcite (1 0 4) dissolution by aqueous manganese(II)

Keywords: A1 اچینگ; 07.60.L; 68.43.M; 82.20.Y; 82.60.LA1. Adsorption; A1. Etching; A1. Impurities; A1. Surface processes; B1. Minerals

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Heteroepitaxial growth of GaAs on Si by MOVPE using a-GaAs/a-Si double-buffer layers

Keywords: A1 اچینگ; 81.05.Ea; 81.10.BkA1. Characterization; A1. Etching; A3. Metal-organic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting gallium arsenide; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Studies on surface micromorphology and growth mechanism of nonlinear optical crystal: l-arginine hydrochlorobromo monohydrate

Keywords: A1 اچینگ; 77.84.S; 81.10.Dn; 61.72.Ff; A1. Etching; A1. Optical microscopy; A2. Growth from solution; B1. Salts; B2. Nonlinear optic materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Etching, Raman and PL study of thick HVPE-grown GaN

Keywords: A1 اچینگ; A1. Etching; defects; characterization; A3. Hydride vapor-phase epitaxy; B1. Gallium nitride

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه