دانلود مقالات ISI درباره A1 جابجایی عظیم + ترجمه فارسی

Development of a multiscale model for an atomic layer deposition process

Keywords: A1 جابجایی عظیم; A1. Computer simulation; A1. Growth models; A1. Mass transfer; A1. Surface structure; A3. Atomic layer epitaxy

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Experimental and numerical modeling of Czochralski crystal growth under axial vibrational control of the melt

Keywords: A1 جابجایی عظیم; A1. Fluid flows; A1. Heat transfer; A1. Mass transfer; A2 Czochralski method

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Czochralski crystal growth assisted by axial vibrational control technique

Keywords: A1 جابجایی عظیم; A1. Fluid flows; A1. Heat transfer; A1. Mass transfer; A1. Crystal structure; A2. Czochralski method

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Global simulation of coupled carbon and oxygen transport in a Czochralski furnace for silicon crystal growth

Keywords: A1 جابجایی عظیم; A1. Computer simulation; A1. Impurities; A1. Mass transfer; A1. Fluid flows; A2. Czochralski method

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Morphology and stress evolution of InAs QD grown and annealed in-situ at high temperature

Keywords: A1 جابجایی عظیم; A1. Nanostructures; A1. Mass transfer; A1. Ripening; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum dots;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Traveling waves of step density and solution supersaturation in the assigned diffusion layer thickness model of step bunching

Keywords: A1 جابجایی عظیم; A1. Crystal morphology; A1. Interfaces; A1. Mass transfer; B1. Growth from solutions; B2. Nonlinear optic materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Mass flux of ZnSe–N–H–Cl chemical vapor transport (CVT) system

Keywords: A1 جابجایی عظیم; A1. Diffusion; A1. Mass transfer; A2. Growth from vapor; B1. Zinc compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

In-situ observations of dissolution process of GaSb into InSb melt by X-ray penetration method

Keywords: A1 جابجایی عظیم; A1. Mass transfer; A2. Growth from solutions; B1. Gallium compounds; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Thermal stationarity criteria for a proper study on growth (dissolution) kinetics in systems with small volumes of solutions in melts

Keywords: A1 جابجایی عظیم; A1. Growth (dissolution) kinetics; A1. Growth (dissolution) mechanisms; A1. Kinetic experiment; A1. Mass transfer; A2. Growth from high temperature solutions; A2. Temperature gradient zone melting (thermomigration)

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

About the formation and avoidance of C and N related precipitates during directional solidification of multi-crystalline silicon from contaminated feedstock

Keywords: A1 جابجایی عظیم; A1. Directional solidification; A1. Impurities; A1. Mass transfer; A2. Vertical gradient freeze; B2. Multi-crystalline silicon; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Chemical vapor transport of zinc sulfide

Keywords: A1 جابجایی عظیم; A1. Diffusion; A1. Mass transfer; A2. Growth from vapor; B1. Sulfides; B1. Zinc compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Modeling of incorporation of O, N, C and formation of related precipitates during directional solidification of silicon under consideration of variable processing parameters

Keywords: A1 جابجایی عظیم; A1. Numerical simulation; A1. Directional solidification; A1. Impurities; A1. Mass transfer; A2. Vertical gradient freeze; B2. Multi-crystalline silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Coupled heat transfer and fluid dynamics modeling of high-temperature SiC solution growth

Keywords: A1 جابجایی عظیم; A1. Computer simulation; A1. Fluid flows; A1. Mass transfer; A2. Growth from high-temperature solutions; A2. Top-seeded solution growth; B2. Semiconducting materials41.20.Gz; 47.11.Fg; 81.05.Hd; 81.10.Dn

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

The carbon distribution in multicrystalline silicon ingots grown using the directional solidification process

Keywords: A1 جابجایی عظیم; A1. Computer simulation; A1. Heat transfer; A1. Impurities; A1. Mass transfer; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Computational analysis of three-dimensional flow and mass transfer in a non-standard configuration for growth of a KDP crystal

Keywords: A1 جابجایی عظیم; A1. Computer simulation; A1. Fluid flows; A1. Mass transfer; A1. Morphological stability; A2. Growth from solutions; A2. Single crystal growth

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Efficient solution of a batch crystallization model with fines dissolution

Keywords: A1 جابجایی عظیم; A1. Computer simulation; A1. Growth models; A1. Mass transfer; A1. Nucleation; A2. Growth from the solutions; A2. Seed crystals

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Color schlieren deflectometry for characterization of crystal growth processes: KDP and lysozyme

Keywords: A1 جابجایی عظیم; A1. Interfaces; A1. Mass transfer; A2. Growth from solutions; A2. Seed crystals; B1. Lysozyme; B1. Optical techniques

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 14 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Computer modeling of diamond single crystal growth by the temperature gradient method in carbon-solvent system

Keywords: A1 جابجایی عظیم; 47.32.C−; 47.10.ad; 81.10.Dn; A1. Computer simulation; A1. Mass transfer; B1. Diamond;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Reconstruction of time-dependent concentration gradients around a KDP crystal growing from its aqueous solution

Keywords: A1 جابجایی عظیم; 47.55.P−; 81.10.Dn; 77.84.Fa; 42.79.Mt; 81.70.TxA1. Convection; A1. Mass transfer; A1. Optical tomography; A1. Time-dependent fluid flows; A2. Growth from solutions; B1. KDP

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 12 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Use of numerical simulation for growing high-quality sapphire crystals by the Kyropoulos method

Keywords: A1 جابجایی عظیم; 47.27.Te; 47.27.Eq; 81.10.Aj; 81.10.FqA1. Computer simulation; A1. Mass transfer; A2. Kyropoulos method; B1. Sapphire

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Kinetic analysis of surface adsorption layer for InGaAsP-related binary materials using in situ RAS

Keywords: A1 جابجایی عظیم; 68.47.Fg; 81.05.Ea; 81.15.Kk; 82.20.PmA1. Interfaces; A1. Mass transfer; A1. Surface processes; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Modeling, optimization, and growth of GaN in a vertical halide vapor-phase epitaxy bulk reactor

Keywords: A1 جابجایی عظیم; 81.05.Ea; 81.10.Bk; 81.10.−h; 81.15.Kk; 78.55.−mA1. Fluid flows; A1. Growth models; A1. Mass transfer; A2. Growth from vapor; A3. Hydride vapor-phase epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Explicit solutions for boundary value problems in diffusion of heat and mass

Keywords: A1 جابجایی عظیم; A1. Diffusion; A1. Heat transfer; A1. Mass transfer; A1. Convection;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

In situ observation of composition profiles in the solution by X-ray penetration method

Keywords: A1 جابجایی عظیم; 78.70.Ck; 81.10.−h; 81.10.Dn; 8.10.Mx; A1. Mass transfer; A2. Growth from solutions; B1. Gallium compounds; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Effect of buoyancy and Marangoni forces on the dopant distribution in a single crystal fiber grown from the melt by edge-defined film-fed growth (EFG) method

Keywords: A1 جابجایی عظیم; 02.60.Cb; 02.60.Lj; 47.20.Bp; 47.20.Dr; 68.08.−p; 68.35.Dv; 71.20.Nr; A1. Computer simulation; A1. Fluid flows; A1. Mass transfer; A2. Edge-defined film-fed growth; B1. Rare earth compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Development of oxygen transport model in Czochralski growth of silicon crystals

Keywords: A1 جابجایی عظیم; 81.10.Aj; 81.10.Fq; 47.27.−E; 47.27.−TA1. Computer simulation; A1. Mass transfer; A2. Czochralski method; B1. Silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Chemical kinetics and mass transport effects in solution-based selective-area growth of ZnO nanorods

Keywords: A1 جابجایی عظیم; 81.05.Dz; 81.07.−b; 81.10.Aj; 81.10.Dn; 81.16.−cA1. Diffusion; A1. Growth models; A1. Mass transfer; A1. Nanostructures; A2. Growth from solutions; B1. Zinc compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Numerical study of hydrodynamic instabilities during growth of dielectric crystals from the melt

Keywords: A1 جابجایی عظیم; 81.10.Fq; 47.20.-k; 47.20.Bp; 47.20.Ky; 02.60.Cb; 02.30.Oz; A1. Computer simulation; A1. Fluid flows; A1. Heat transfer; A1. Mass transfer; A2. Czochralski method;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Effect of substrate geometry on the deposition rate in chemical vapor deposition

Keywords: A1 جابجایی عظیم; A1. Computer simulation; A1. Fluid flows; A1. Mass transfer; A2. Growth from vapor; B1. Zinc compounds; B2. Semiconducting II–IV materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Multi-scale modeling of chemical vapor deposition processes for thin film technology

Keywords: A1 جابجایی عظیم; 47.11.−j; 47.11.St; 47.20.−k; 47.27.De; 47.45.−n; 47.54.Jk; 47.55.P−; 47.61.−k; 47.61.Cb; 81.15.GhA1. Computer simulations; A1. Fluid flows; A1. Heat transfer; A1. Mass transfer; A3. Chemical vapor deposition process

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 19 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Assessing the dynamics of liquid-phase solution growth via step growth models: From BCF to FEM

Keywords: A1 جابجایی عظیم; 02.60.Cb; 81.10.Aj; 81.10.DnA2. Solution crystal growth; A1. Mass transfer; A1. Growth kinetics; A1. BCF models; A1. Finite element model; A1. Step growth model

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 40 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

In situ observations in the melt growth of Pb5Ge3O11 crystals

Keywords: A1 جابجایی عظیم; 81.10; 61.72; A1. Defects; A1. Mass transfer; A1. Growth models;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

3D mass diffusivity model of liquid metals in the presence of a magnetic field

Keywords: A1 جابجایی عظیم; A1. Convection; A1. Magnetic fields; A1. Mass transfer; B1. Metals; B2. Semiconducting germanium;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Stress development during annealing of self-assembled InAs/GaAs quantum dots measured in situ with a cantilever beam setup

Keywords: A1 جابجایی عظیم; 68.35.-p; 68.65.Hb; 81.07.Ta; 81.10.Aj; A1. Mass transfer; A1. Nanostructures; A1. Ripening; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum dots;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Numerical simulation of the flow field and concentration distribution in the bulk growth of silicon carbide crystals

Keywords: A1 جابجایی عظیم; 47.70.Nd; 51.10.+y; 81.10.AjA1. Computer simulation; A1. Growth model; A1. Mass transfer; A2. Growth from vapor; A2. Seed crystals; B2. Semiconducting silicon compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Numerical investigation of heat-mass transfer processes in hydrothermal growth system

Keywords: A1 جابجایی عظیم; 81.10.−h; 44.357.C; A1. Computer simulation; A1. Heat transfer; A1. Mass transfer; A2. Hydrothermal crystal growth;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Thermoelectromagnetic convection in vertical Bridgman grown germanium–silicon

Keywords: A1 جابجایی عظیم; 47.65.+a; 45.70.Mg; 61.82.Fk; 64.75.+g; 72.15.Jf; 72.20.Pa; 72.80.Cw; 81.05.Cy; 81.10.Fq; 87.50.MnA1. Fluid flows; A1. Magnetic field; A1. Mass transfer; A1. Segregation; A1. Thermoelectromagnetic convection; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Step velocity in tetragonal lysozyme growth as a function of impurity concentration and mass transport conditions

Keywords: A1 جابجایی عظیم; 61.72.−y; 68.37.−d; 68.35.Fx; 81.10.Dn; 81.10.Mx; 85.15.Nn; 87.14.EeA1. Diffusion; A1. Grown from solution; A1. Impurities; A1. Mass transfer; A1. Optical microscopy; B1. Biological macromolecules; B1. Proteins

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

CFD modelling of single crystal growth of potassium dihydrogen phosphate (KDP) from binary water solution at 30 °C

Keywords: A1 جابجایی عظیم; 81.10.Aj; 81.10.Dn; 47A1. Growth models; A1. Mass transfer; A2. Growth from solutions; A2. Single crystal growth; B1. Phosphates; B1. Potassium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Growth of zinc oxide by chemical vapor transport

Keywords: A1 جابجایی عظیم; 81.10.Bk; 78.55.Et; 71.55.Gs; A1. Mass transfer; A2. Growth from vapor; B1. Oxides; B2. Semiconducting II-VI materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Fracture and the Grinfeld instability

Keywords: A1 جابجایی عظیم; 62.20.Mk; 46.50.+a; 81.40.Np; A1. Diffusion; A1. Mass transfer; A1. Morphological stability; A1. Stresses; A1. Surfaces;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

GaAs facet formation and progression during MBE overgrowth of patterned mesas

Keywords: A1 جابجایی عظیم; 81.15.Ho; 81.15.Aa; 68.55.-a; 68.35.Md; A1. Growth models; A1. Mass transfer; A1. Surface processes; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Direct nitridation of molten Al(Mg,Si) alloy to AlN

Keywords: A1 جابجایی عظیم; A1. Capillarity; A1. Crystal morphology; A1. Mass transfer; A1. Thermodynamics; A2. Growth from melt; B1. Alloys; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Determination of crystal growth kinetics of potassium pentaborate in a fluidized bed crystallizer

Keywords: A1 جابجایی عظیم; 81.10.A; A1. Mass transfer; A2. Growth from solutions; A2. Effectiveness factor; B1. Borates; B1. Potassium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Regrowth mechanisms in flash lamp processing of heteroepitaxial SiC on silicon substrates

Keywords: A1 جابجایی عظیم; 68.35.Fx; 81.15.Lm; A1. Crystal morphology; A1. Diffusion; A1. Interfaces; A1. Mass transfer; A3. Liquid phase epitaxy; B. Silicon carbide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Computational and experimental study of thermal fields in Czochralski garnet crystal growth

Keywords: A1 جابجایی عظیم; 47.27.Te; 81.10.Fq; 02.60.Cb; 64.70.Dv; 42.70.Hj; A1. Computer simulation; A1. Convection; A1. Growth models; A1. Mass transfer; A2. Microgravity conditions; A2. Single crystal growth;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Anomalous evaporation characteristics of vitrificated K(DPM) and stable gas supply using disk-shaped K(DPM) precursors for metalorganic chemical vapor deposition

Keywords: A1 جابجایی عظیم; 81.05; 81.15; A1. Mass transfer; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Niobates; B1. Organic compounds; B1. Potassium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Investigation of mass transport phenomena in an upflow cold-wall CVD reactor by gas phase Raman spectroscopy and modeling

Keywords: A1 جابجایی عظیم; 52.75.R; 47.32; 82.80.C; 47.11; A1. In situ Raman spectroscopy; A1. Mass transfer; A1. Stagnation-point-flow reactor; A1. Two-dimensional axisymmetric reactor model;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

On the validity of boundary layer analysis for flow and mass transfer caused by rotation during the solution growth of large, single crystals

Keywords: A1 جابجایی عظیم; A1. Computer simulation; A1. Convection; A1. Fluid flows; A1. Growth from solutions; A1. Mass transfer; A1. Stirring;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Modeling of aluminum nitride growth by halide vapor transport epitaxy method

Keywords: A1 جابجایی عظیم; 81.15; 77.84.B; 07.05.T; A1.Computer simulation; A1. Halide vapor transport epitaxy reactor; A1. Mass transfer; A3.Chemical vapor deposition process; B2. Semiconducting aluminum nitride;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 12 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه