دانلود مقالات ISI درباره A1 فوتولومینسانس + ترجمه فارسی

Fabrication of cubic and hexagonal GaN micro-crystals on GaAs(0 0 1) substrates with relatively thin low-temperature GaN buffer layer

Keywords: A1 فوتولومینسانس; 68.55.−a; 78.30.Fs; 78.55.Cr; 78.60.Hk; 81.15.Hi; A1. Cathodo-luminescence; A1. Photoluminescence; A1. Raman scattering; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Gallium Nitride; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Preparation and study of stoichiometric ZnO by MOCVD technique

Keywords: A1 فوتولومینسانس; 81.05.Dz; 82.80.Pv; 78.55.Et; 81.15.Gh; A1. Photoluminescence; A1. X-ray diffraction; A1. X-ray photoelectron; A3. Metalorganic molecular beam epitaxy; B1. Zinc compounds; B2. Semiconducting II-VI materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Temperature dependence of Raman scattering of ZnSe nanoparticle grown through vapor phase

Keywords: A1 فوتولومینسانس; 60.10.−i; 61.16.−d; 78.30.−j; 78.55.−m; A1. Photoluminescence; A1. Raman scattering; A1. Temperature dependent; B1. Zinc compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Structural and luminescent properties of ZnO epitaxial film grown on Si(1 1 1) substrate by atmospheric-pressure MOCVD

Keywords: A1 فوتولومینسانس; A1. Atmospheric-pressure metalorganic chemical vapor deposition (AP-MOCVD); A1. Photoluminescence; A1. Si substrate; B1. ZnO;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Facile synthesis and characterization of sheet-like Y2O3:Eu3+ microcrystals

Keywords: A1 فوتولومینسانس; 74.72.B; 81.10Dn; 77.84; 81.10.A; 81.40.G; 78.55; A1. Photoluminescence; A1. Sheet-like; A2. Hydrothermal-calcination; A2. Single crystals; B1. Urea; B1. Yttrium oxides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Growth and characterization of InN on sapphire substrate by RF-MBE

Keywords: A1 فوتولومینسانس; 81.05.Ea; 81.15.Hi; A1. Photoluminescence; A1. RF-MBE; A1. X-ray diffraction; B1. InN;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Star-shaped ZnO nanostructures on silicon by cyclic feeding chemical vapor deposition

Keywords: A1 فوتولومینسانس; 68.65.+G; 78.55.Et; 78.66.Hf; A1. High resolution transmission electron microscopy; A1. Photoluminescence; A1. Star-shaped nanostructures; A3. Cyclic feeding CVD; B1. ZnO; B2. Semiconducting II-VI materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Characterization of ZnO/Mg0.12Zn0.88O heterostructure grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy

Keywords: A1 فوتولومینسانس; A1. Interface potential barrier; A1. Photoluminescence; A3. Molecular beam epitaxy; B1. ZnO/MgZno; B2. Semiconducting II-VI materials; B3. Heterojunction semiconductor device;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

PL characteristics of InAs quantum dots with Sb irradiation in growth interruption

Keywords: A1 فوتولومینسانس; 78.67.Hc; 81.07.Ta; 78.55.Cr; 81.15.Hi; A1. Low-dimensional structure; A1. Photoluminescence; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Self-assembled quantum dots; B2. Semiconductor III-V material;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Growth and properties of ZnO nanotubes grown on Si(1 1 1) substrate by plasma-assisted molecular beam epitaxy

Keywords: A1 فوتولومینسانس; A1. Photoluminescence; A3. Plasma-assisted molecular beam epitaxy; B1. ZnO; B1. Nanotubes; B2. Semiconducting II-VI materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

The effect of the AlxGa1−xN/AIN buffer layer on the properties of GaN/Si(1 1 1) film grown by NH3-MBE

Keywords: A1 فوتولومینسانس; 78.30.Fs; 81.05.Ea; 81.15.Hi; A1. Photoluminescence; A1. Raman; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Gallium nitride; B2. Silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Influence of arsenic pressure on photoluminescence and structural properties of GaInNAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy

Keywords: A1 فوتولومینسانس; 81.15.H; 78.55; 78.66; A1. Photoluminescence; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Dilute nitride alloys;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Epitaxial growth of high-quality GaN on appropriately nitridated Si substrate by metal organic chemical vapor deposition

Keywords: A1 فوتولومینسانس; 81.15.Gh; 61.82.Fk; A1. Nitridation; A1. Photoluminescence; A1. Si(1 1 1) substrate; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. GaN;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Effect of annealing atmosphere on physical characteristics and photoluminescence properties of nitrogen-implanted ZnO thin films

Keywords: A1 فوتولومینسانس; 64.75.+g; 82.65.+r; 68.35.Dv; A1. Photoluminescence; B1. ZnO; A1. Nitrogen implantation; A1. Annealing atmosphere;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

MOVPE growth optimization for optically efficient GaInNAs quantum well structure

Keywords: A1 فوتولومینسانس; 61.10.−i; 68.55.+b; 78.55.Cr; A1. Photoluminescence; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; A3. Quantum well; B1. GaInNAs; B1. InGaAs; B1. GaNAs;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Two-dimensional growth of ZnO epitaxial films on c-Al2O3 (0 0 0 1) substrates with optimized growth temperature and low-temperature buffer layer by plasma-assisted molecular beam epitaxy

Keywords: A1 فوتولومینسانس; 61.10.Nz; 61.14.Hg; 68.55.Jk; 73.61.Ga; 78.66.Hf; 81.15.Hi; A1. Crystal structure; A1. Photoluminescence; A1. Reflection high-energy electron diffraction; A1. X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting II-VI materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Atmospheric pressure MOCVD growth of high-quality ZnO films on GaN/Al2O3 templates

Keywords: A1 فوتولومینسانس; 75.55.C; 87.64.Bx; 78.55.−m; A1. AFM; A1. Photoluminescence; A1. X-ray diffraction; A3. MOCVD; B2. ZnO/GaN/Al2O3;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Raman and photoluminescence studies on nanocrystalline ZnO grown on GaInPAs substrates

Keywords: A1 فوتولومینسانس; 63.22.+m; 78.55.−m; 61.82.Fk; 68.35.Ja; A1. Photoluminescence; A1. Surface enhanced Raman scattering; A1. Surface phonon; B1. ZnO nanocrystals;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Epitaxial growth of ZnO thin films on Si substrates by PLD technique

Keywords: A1 فوتولومینسانس; 81.05.Dz; 61.14.Hg; 78.55.Et; 81.15.Fg; A1. Photoluminescence; A1. Reflection high-energy electron diffraction; A1. X-ray diffraction; B1. Zinc compounds; B2. Semiconducting II-VI materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Synthesis and photoluminescence of gallium oxide ultra-long nanowires and thin nanosheets

Keywords: A1 فوتولومینسانس; 81.07.−b; 81.10.Bk; 68.65.−k; A1. Optical absorption; A1. Photoluminescence; B1. β-Ga2O3; B1. Nanosheets; B1. Nanowires;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Efficient UV photoluminescence from monodispersed secondary ZnO colloidal spheres synthesized by sol-gel method

Keywords: A1 فوتولومینسانس; 78.67.Bf; 81.07.Wx; 81.20.Fw; A1. photoluminescence; A3. Sol-gel; B1. nanomaterials; B1. ZnO;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

>100% output differential efficiency 1.55-μm VCSELs using submonolayer superlattices digital-alloy multiple-active-regions grown by MBE on InP

Keywords: A1 فوتولومینسانس; 42.55.Px; 78.66.−w; 81.15.Hi; A1. Photoluminescence; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B3. Laser diodes; B3. Vertical cavity lasers;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Investigation of N incorporation in InGaAs and GaAs epilayers on GaAs using solid source molecular beam epitaxy

Keywords: A1 فوتولومینسانس; 78.55.Cr; 81.15.Hi; 68.49.Sf; 68.37.Yz; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. Photoluminescence; A1. Secondary ion mass spectroscopy; A3. Molecular beam epitaxy; B1. GaAsN; B1. InGaAsN;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Growth and optical properties of nanocrystalline Gd3Ga5O12:Ln (Ln=Eu3+,Tb3+,Er3+) powders and thin films via Pechini sol-gel process

Keywords: A1 فوتولومینسانس; 78.20.−e; 81.20.Fw; A1. Photoluminescence; A3. Pechini sol-gel process; B1. Rare earth compounds; B2. Phosphors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Influence of rapid thermal annealing on InAs/InAlAs/InP quantum wires with different InAs deposited thickness

Keywords: A1 فوتولومینسانس; 85.30.Vw; 68.65.+g; 78.66.−w; A1. Annealing; A1. Dislocations; A1. Photoluminescence; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wires; B2. Semiconducting III-V material;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

On the energy and time resolution measurements of bismuth germanium silicon oxide (BGSO) crystal grown by Czochralski technique

Keywords: A1 فوتولومینسانس; 81.05.Je; 81.10.Fq; A1. Photoluminescence; A1. Time and energy resolution; A2. Growth from melt; A2. Czochralski technique;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

A simple method to synthesize β-Ga2O3 nanorods and their photoluminescence properties

Keywords: A1 فوتولومینسانس; 81.07.Bc; 81.10.Dn; 78.55.Hx; 78.67.Bf; A1. Hydrothermal effects; A1. Photoluminescence; B1. Gallium oxide; B1. Gallium oxide hydrate; B1. Nanorods;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Transparent conductive ZnO thin films on glass substrates deposited by pulsed laser deposition

Keywords: A1 فوتولومینسانس; 78.55.−m; 78.20.−e; A1. Characterization; A1. Growth temperature effect; A1. Photoluminescence; A1. Structural properties; B1. Zinc compound; B3. Semiconducting II-VI materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Unaggregated silicon nanocrystals obtained by ball milling

Keywords: A1 فوتولومینسانس; 78.20.-c; 78.67.Bf; 78.55.-m; A1. Photoluminescence; B1. Silicon nanocrystals; B2. Optoelectronics;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Sol-gel synthesis and optical properties of size controlled Indium Arsenide nanocrystals embedded in silica glasses

Keywords: A1 فوتولومینسانس; 78.55.Cr; 78.40.−q; 81.05.Ea; 81.20.Fw; 42.70.Nq; A1. Electron microscopy; A1. Photoluminescence; A1. Sol-gel chemistry; A1. X-ray diffraction; B1. Glass; B1. Nanomaterials; B2. InAs;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Optical studies of bulk and homoepitaxial films of III-V nitride semiconductors

Keywords: A1 فوتولومینسانس; 78.40.Fy; 71.70.Ch; 78.55.−m; 71.35.−y; Al. Cathodoluminescence; A1. Excitons; A1. Phonons; A1. Photoluminescence; Al. Raman; A1. X-ray diffraction; A2. Homoepitaxial; B1. AIN; B1. GaN;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 15 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه