دانلود مقالات ISI درباره A1 جداسازی + ترجمه فارسی

Potential for growth of Si-Ge bulk crystals by modified FZ technique

Keywords: A1 جداسازی; A1. Segregation; A2. Growth from solutions; A2. Single crystal growth; A2. Submerged heater technique; B1. Alloys; B2. Semiconducting silicon compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Phase-separated CsI-NaCl scintillator grown by the Czochralski method

Keywords: A1 جداسازی; A1. Segregation; A2. Czochralski method; B1. Halides; B2. Phosphors; B3. Scintillators;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Characterization of 4 in VGF-GaAs single crystals grown in a heater-magnet module

Keywords: A1 جداسازی; A1. Magnetic fields; A1. Segregation; A2. Gradient freeze technique; B2. Semiconducting gallium arsenide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Effect of solidification parameters on the microstructures of superalloy CMSX-6 formed during the downward directional solidification process

Keywords: A1 جداسازی; A1. Directional solidification; A1. Single crystal growth; A1. Segregation; B1. Alloys;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

A study on segregation layers of Bi4Si3O12 crystal grown by the Bridgman method

Keywords: A1 جداسازی; A1. Segregation; A2. Bridgman technique; A2. Single crystal growth; B1. Bismuth compounds; B2. Scintillator materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

The control of mean ionic radius at Y site by Lu co-doping for Ce:LiYF4 single crystals

Keywords: A1 جداسازی; A1. Segregation; A2. Single crystal growth; B1. Halides; B3. Scintillators; B3. Solid state lasers

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Si growth by directional solidification of Si–Sn alloys to produce solar-grade Si

Keywords: A1 جداسازی; A1. Directional solidification; A1. Impurities; A1. Purification; A1. Segregation; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Thermodynamics and kinetics of indium segregation in InGaAs/GaAs heterostructures grown by MOCVD

Keywords: A1 جداسازی; A1. Segregation; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; A3. Quantum wells; B2. Semiconducting indium compound

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Butterfly-shaped distribution of SiNx precipitates in multi-crystalline Si for solar cells

Keywords: A1 جداسازی; A1. Convection; A1. Mass transfer; A1. Segregation; B2. multi-crystalline silicon; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Formation of Si grains from a NaSi melt prepared by reaction of SiO2 and Na

Keywords: A1 جداسازی; A1. Segregation; A1. Purification; A2. Growth from melt; B1. Quartz; B1. Silicon; B1. Sodium silicide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Modeling insights on the melt growth of cadmium zinc telluride

Keywords: A1 جداسازی; A1. Computer simulation; A1. Convection; A1. Heat transfer; A1. Segregation; A2. Bridgman technique; B2. Semiconducting II-VI materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Material characterization of high Sn-content, compressively-strained GeSn epitaxial films after rapid thermal processing

Keywords: A1 جداسازی; A1. Photoluminescence; A1. Segregation; A3. Chemical vapor deposition; B1. Alloys; B2. GeSn; B2. Semiconducting germanium

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Effect of flow pattern on the segregation of impurities in vertical Bridgman growth of multi-crystalline silicon

Keywords: A1 جداسازی; A1. Segregation; A1. Convection; A1. Numerical simulation; A1. Impurities; A2. Growth from melt; B3. Solar cell

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Segregation of the Eu impurity as function of its concentration in the melt for growing of the lead telluride doped crystals by the Bridgman method

Keywords: A1 جداسازی; A1. Doping; A1. Impurities; A1. Segregation; A2. Bridgman technique; A2. Growth from melt; B2. Semiconducting lead compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Purification of melt-spun metallurgical grade silicon micro-flakes through a multi-step segregation procedure

Keywords: A1 جداسازی; A1. Segregation; A1. Solidification; A1. Impurities; A2. Single crystal growth; B1. Silicon; B3. Solar cells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Dynamic simulation of impurity transport and chemical reactions in a Bridgman furnace for directional solidification of multi-crystalline silicon

Keywords: A1 جداسازی; A1. Segregation; A1. Convection; A1. Numerical simulation; A1. Impurities; A2. Growth from melt; B3. Solar cell

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Growth mechanisms in semipolar (202¯1) and nonpolar m  -plane (101¯0) AlGaN/GaN structures grown by PAMBE under N-rich conditions

Keywords: A1 جداسازی; A1. Desorption; A1. Interfaces; A1. Segregation; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Impact of growth rate on impurities segregation at grain boundaries in silicon during Bridgman growth

Keywords: A1 جداسازی; A1. Crystallization; A1. Impurities; A1. Segregation; Multicrystalline Silicon; Seeded growth; Structural defects

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Growth of BGaAs by molecular-beam epitaxy and the effects of a bismuth surfactant

Keywords: A1 جداسازی; A1. Atomic force microscopy; A1. Defects; A1. Segregation; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Boron compounds; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Kinetically limited growth of GaAsBi by molecular-beam epitaxy

Keywords: A1 جداسازی; A1. Atomic-Force Microscopy; A1. Growth Models; A1. Segregation; A3. Molecular-Beam Epitaxy; B1. Bismuth Compounds; B2. Semiconducting III-V Materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Crystal growth and dopant segregation of Ce:LiSrAlF6 and Eu:LiSrAlF6 crystals with high dopant concentrations

Keywords: A1 جداسازی; A1. Doping; A1. Segregation; A2. Growth from melt; B2. Scintillator materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Dopant segregation in rare earth doped lutetium aluminum garnet single crystals grown by the micro-pulling down method

Keywords: A1 جداسازی; A1. Segregation; A2. Growth from melt; B1. Oxides; B2. Scintillator materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Study on influence of growth conditions on position and shape of crystal/melt interface of alkali lead halide crystals at Bridgman growth

Keywords: A1 جداسازی; A1. Interfaces; A1. Morphological stability; A1. Segregation; A2. Bridgman technique; B1. Halides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Precise structure control of GaAs/InGaP hetero-interfaces using metal organic vapor phase epitaxy and its abruptness analyzed by STEM

Keywords: A1 جداسازی; A1. Growth models; A1. Interfaces; A1. Segregation; A3. Metal organic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting gallium arsenide; B2. Semiconducting indium gallium phosphide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Electromagnetic stirring and retention to improve segregation in silicon for photovoltaics

Keywords: A1 جداسازی; A1. Crystallization; A1. Electromagnetic stirring; A1. Purification; A1. Segregation; B1. Electromagnetic retention; B1. Silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

The effect of lid driven convective transport on lateral solute segregation in the vicinity of a crucible wall

Keywords: A1 جداسازی; A1. Convection; A1. Directional solidification; A1. Segregation; A2. Growth from melt; B2. Germanium silicon alloys

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Solute segregation in a lid driven cavity: Effect of the flow on the boundary layer thickness and solute segregation

Keywords: A1 جداسازی; A1. Convection; A1. Directional solidification; A1. Segregation; A2. Growth from melt; B2. Germanium silicon alloys

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Purification of silicon for photovoltaic applications

Keywords: A1 جداسازی; A1. Purification; A1. Segregation; A1. Stirring; B2. Silicon; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

A comparative study on the growth of germanium–silicon single crystals grown by the vertical Bridgman and axial heat processing techniques

Keywords: A1 جداسازی; A1. Morphological stability; A1. Segregation; A2. Axial heat processing; A2. Bridgman technique; B1. Germanium silicon crystals

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

A numerical model study of the effect of interface shape on particle pushing

Keywords: A1 جداسازی; A1. Computer simulation; A1. Interfaces; A1. Segregation; A1. Solidification;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Maintaining convex interface shapes during electrodynamic gradient freeze growth of cadmium zinc telluride using a dynamic, bell-curve furnace profile

Keywords: A1 جداسازی; A1. Computer simulation; A1. Convection; A1. Heat transfer; A1. Segregation; A2. Bridgman technique; B2. Semiconducting II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Effective convection coefficient for porous interface and solute segregation

Keywords: A1 جداسازی; A1. Convection; A1. Diffusion; A1. Directional solidification; A1. Segregation; A2. Czochralski method; A2. Growth from melt;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Impact of stochastic accelerations on dopant segregation in microgravity semiconductor crystal growth

Keywords: A1 جداسازی; A1. Computer simulation; A1. Convection; A1. Directional solidification; A1. Segregation; A2. Microgravity conditions

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 13 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

The impact of germanium doping on the dislocation distribution in directional solidified mc-silicon

Keywords: A1 جداسازی; A1. Defects; A1. Directional solidification; A1. Segregation; A2. Bridgman technique; B1. Germanium silicon alloys; B3. Solar cell

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Effect of indium incorporation on optical and structural properties of m-plane InGaN/GaN MQW on LiAlO2 substrates

Keywords: A1 جداسازی; A1. X-ray diffraction; A1. Segregation; A1. Line defects; A3. Quantum wells; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

On the effect of oxygen partial pressure on the chromium distribution coefficient in melt-grown ruby crystals

Keywords: A1 جداسازی; A1. Doping; A1. Segregation; A1. Phase diagrams; A2. Growth from melt; B1. Oxides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Effect of accelerated crucible rotation on the segregation of impurities in vertical Bridgman growth of multi-crystalline silicon

Keywords: A1 جداسازی; A1. Segregation; A1. Numerical simulation; A1. Impurities; A2. Growth from melt; A2. Accelerated crucible rotation technique; B3. Solar cell;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Thermodynamic modeling of bulk ternary alloy crystal growth: Comparison of experiments and theory for GaInSb alloys

Keywords: A1 جداسازی; A1. Growth models; A1. Segregation; A2. Growth from melt; B1. Antimonides; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Effect of steady crucible rotation on the segregation of impurities in vertical Bridgman growth of multi-crystalline silicon

Keywords: A1 جداسازی; A1. Convection; A1. Impurities; A1. Numerical simulation; A1. Segregation; A2. Growth from melt; B3. Solar cell

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Macrosegregation in vertical Bridgman grown Ge1−xSix alloy with large melt volume: Limit of complete mixing

Keywords: A1 جداسازی; A1. Unidirectional solidification; A1. Convection; A1. Segregation; B1. Germanium silicon alloys; B2. Semiconducting silicon alloys;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

A new approach for dopant distribution and morphological stability in crystals grown by the axial heat processing (AHP) technique

Keywords: A1 جداسازی; A1. Morphological stability; A1. Segregation; A1. Diffusion; A1. Mass transfer; A2. Axial heat processing; B1. Germanium silicon alloys;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

One-dimensional model of the equiaxed grain formation in multi-crystalline silicon

Keywords: A1 جداسازی; A1. Directional solidification; A1. Growth model; A1. Segregation; A1. Supersaturated solution; A2. Bridgman technique; B2. Semiconducting material.

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Anomalous segregation during electrodynamic gradient freeze growth of cadmium zinc telluride

Keywords: A1 جداسازی; A1. Computer simulation; A1. Convection; A1. Heat transfer; A1. Segregation; A2. Bridgman technique; B2. Semiconducting II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Sb surfactant-mediated growth of strained InGaAs multiple-quantum wells by metalorganic vapor phase epitaxy at low growth temperatures

Keywords: A1 جداسازی; A1. Segregation; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Semiconducting ternary compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Cellular structures in Czochralski-grown SiGe bulk crystal

Keywords: A1 جداسازی; A1. Solid solution; A1. Segregation; A1. Constitutional supercooling; A2. Czochralski method; A2. Single crystal growth; B2. Semiconducting silicon compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Impurity segregation in directional solidified multi-crystalline silicon

Keywords: A1 جداسازی; A1. Segregation; A1. Convection; A1. Numerical simulation; A1. Impurities; A2. Growth from melt; B3. Solar cell

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Growth mechanism of nanorods in REBa2Cu3Oy films (RE: rare-earth element)

Keywords: A1 جداسازی; A1. Nanostructures; A1. Segregation; A1. Transmission electron microscopy; A3. Pulsed-laser deposition process; B2. Oxide superconducting films;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Crystal growth of bulk ternary semiconductors: Comparison of GaInSb growth by horizontal Bridgman and horizontal traveling heater method

Keywords: A1 جداسازی; A1. Segregation; A2. Growth from melt; B1. Antimonides; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Well width study of InGaN multiple quantum wells for blue–green emitter

Keywords: A1 جداسازی; A1. Segregation; A1. High resolution X-ray diffraction; A3. Low press; A3. Metal organic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Growth and segregation of GaAs–AlxIn1−xP core-shell nanowires

Keywords: A1 جداسازی; A1. HRTEM; A1. Segregation; A3. Core-shell nanowire; B1. GaAs; B2. AlxIn1−xP

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه