دانلود مقالات ISI درباره A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات + ترجمه فارسی

Selective growth of ZnO nanoneedles on Si substrates by metalorganic chemical vapor deposition

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 68.65.+g; 81.15.Gh; 81.05.Hd; Al. Characterization; A1. Nanostructure; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nanomaterials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Growth and characterization of InGaN blue LED structure on Si(1 1 1) by MOCVD

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 68.65.+g; 68.55.−a; 78.60.Fi; 81.15.Gh; 85.60.Jb; A1. X-ray diffraction; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B1. Si substrate; B3. Light-emitting diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Material quality improvements of ultra-broadband gain materials grown by selective-area-growth techniques

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 81.15.Gh; 81.15.−z; 42. 55.Px; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; A3. Selective-area-growth; B3. Laser diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Maskless lateral epitaxial over growth of GaN films on in situ etched sapphire substrates by metalorganic chemical vapor deposition

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 81.15.Gh; 63.37.−d; 78.66.Fd; 73.61.Ey; A3. Maskless lateral epitaxial over growth (LEO); A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. GaN;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Influence of the nucleation layer morphology and epilayer structure on the resistivity of GaN films grown on c-plane sapphire by MOCVD

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 81.15.G; 71.55.E; 61.72.M; 81.65.C; 81.05.E; A1. Crystal structure; A1. Defects; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B2. Semiconducting III-V materials; B3. High electron mobility transistors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Diluted magnetic semiconductor of p-type InMnP:Zn epilayer

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 75.50.Pp; 75.50.Dd; 81.10.Fg; 75.30.Kz; A1. Diffusion; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B2. Semiconducting indium phosphide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

X-ray and cathodoluminescence study on the effect of intentional long time annealing of the InGaN/GaN multiple quantum wells grown by MOCVD

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 68.60.Dv; 78.20.−e; 78.60.Hk; 78.70.Ck; 81.40.−z; A1. Characterization; A1. Intermixing; A1. Thermal annealing; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Room-temperature luminescence study on the effect of Mg activation annealing on p-GaN layers grown by MOCVD

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 61.72.Cc; 78.55.−m; 78.60.Hk; 78.66.−W; 81.15.Gh; A1. Characterization; A1. Mg activation annealing; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Surface morphology of GaInP buffer layers and its impact on the lateral distribution of self-organized InP islands

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 68.55.Ac; 68.55.Nq; 81.16.Dn; 81.15.Gh; 81.07.Ta; 42.55.Sa; A1. Crystal structure; A1. Stress; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; A3. Quantum dot; B2. Semiconducting indium phosphide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

MOVPE growth optimization for optically efficient GaInNAs quantum well structure

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 61.10.−i; 68.55.+b; 78.55.Cr; A1. Photoluminescence; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; A3. Quantum well; B1. GaInNAs; B1. InGaAs; B1. GaNAs;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Temperature-induced morphological changes of ZnO grown by metalorganic chemical vapor deposition

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 68.55.−a; 81.15.Gh; A1. Crystal morphology; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Zinc oxide; B2. Semiconducting II-VI materials; B3. Light emitting diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Comparative studies on the growth behavior of ZnO nanorods by metalorganic chemical vapor deposition depending on the type of substrates

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 68.55.Jk; 78.67−n; 81.15.Gh; A1. Crystal morphology; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting II-VI materials; B3. Light-emitting diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

In-situ mask removal in selective area epitaxy using metal organic chemical vapor deposition

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; A3. Selective epitaxy; B1. Halides; A1. Etching; A3. Quantum wells; B1. Oxides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Characteristics of back-illuminated visible-blind UV photodetector based on AlxGa1−xN p-i-n photodiodes

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; A1. Heat resolution X-ray diffraction; A2. Growth from high temperature solutions; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Gallium compounds; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Hetero-junction semiconductor devices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Growth of nanocrystalline TiO2 films by MOCVD using a novel precursor

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 77.84.B; 78.66.J; 81.15.G; 81.20.K; A1. Nanocrystalline; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; A3. Thin films; A3. TiO2; B1. Novel precursor;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

A numerical study on heat transfer and film growth rate of InP and GaAs MOCVD process

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 02.60.Cb; 44.35.+C; 81.05.Ea; 81.15.Gh; Al. Computer simulation; Al. Heat transfer; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Design of the low-temperature AlN interlayer for GaN grown on Si (1 1 1) substrate

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 68.55.−a; 81.15; A1. Substrates; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. AlN interlayer; B1. GaN;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

MOCVD growth of GaN islands by multistep nucleation layer technique

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 81.15.Gh; 68.55.−a; A1. Atomic force microscopy; A1. Nucleation; A1. Recrystallization; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. GaN;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Study on the thermal stability of InN by in-situ laser reflectance system

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 81.05.Ea; 81.10.-h; 81.15.Gh; 68.60.Dv; A1. In situ reflectometry; A1. Thermal stability; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. InN;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Comparative study of InAs quantum dots grown on different GaAs substrates by MOCVD

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 81.05.Ea; 78.67.Hc; 68.55.Jk; A1. Bimodal size distribution; A1. Low-dimensional structures; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; A3. Self-assembled quantum dots; B1. Indium arsenide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Anomalous evaporation characteristics of vitrificated K(DPM) and stable gas supply using disk-shaped K(DPM) precursors for metalorganic chemical vapor deposition

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 81.05; 81.15; A1. Mass transfer; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Niobates; B1. Organic compounds; B1. Potassium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Influence of sapphire annealing in trimethylgallium atmosphere on GaN epitaxy by MOCVD

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 68.55; 81.15; 61.72; 78.55; A1. Crystal morphology; A1. Crystal structure; A1. Defects; A1. Nucleation; A3. Chemical vapor deposition processes; A3. Metalorganic chemical vapor deposition;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

High-resistivity GaN buffer templates and their optimization for GaN-based HFETs

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; A1. In situ laser reflectometry; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semi-insulating GaN;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Structural and optical properties of polycrystalline thin films of rare earth oxides grown on fused quartz by low pressure MOCVD

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 68.55.Jk; 81.15.Gh; 77.84.Bw; A1. Disordered substrate; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; A3. Texture; A3. Thin films; B1. Rare earth oxides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Changes in morphology and growth rate of quasi-one-dimensional ZnSe nanowires on GaAs (1 0 0) substrates by metalorganic chemical vapor deposition

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 78.67.Lt; 78.55.Et; 81.07.Vb; 81.15.Gh; A1. Low dimensional structure; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Zinc compounds; B2. Semiconducting II-VI materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Influence of growth parameters on the composition and impurity levels of intrinsically carbon doped AlxGa1−xAs

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 71.55.Eq; 81.05.Ea; 81.15.Gh; 82.33.Ya; A1. Doping; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Carbon; B1. Gallium compounds; B2. Semi conducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Delayed onset of return flow by substrate inclination in model horizontal longitudinal MOCVD processes

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; A1. Convection; A2. Fluid flows; A3. Metalorganic chemical vapor deposition;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 16 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Using optical reflectance to measure GaN nucleation layer decomposition kinetics

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 68.55.J; 81.05.D; 81.10.A; 82.30.L; A1. Desorption; A1. Decomposition; A1. Nucleation; A1. Optical reflectance; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Group III nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 18 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه