دانلود مقالات ISI درباره A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات + ترجمه فارسی

Structural phase control of CdSe thin films by metalorganic chemical vapor deposition

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 71.55.Gs; 73.61.Ga; 74.25.GzA1. Phase transition; A1. Photoluminescence; A1. X-ray diffraction; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. CdSe

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Influence of Fe-doping on GaN grown on sapphire substrates by MOCVD

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 71.20.Nr; 74.62.Dh; 78.55.CrA1. Doping; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

A new photocatalyzer InNxOy film grown by ArF excimer laser-induced MOCVD at low temperature (RT∼200 °C)

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 81.05.Zx; 81.15.Gh; 82.45.Qr; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

In situ growth observation of GaN/AlGaN superlattice structures by simultaneous X-ray diffraction and ellipsometry

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 81.15.Gh; 81.05.Ea; 81.70.Fy; 61.10.Nz; 81.40.TvA1. In situ characterization; A1. Spectroscopic ellipsometry; A1. X-ray diffraction; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Metalorganic chemical vapor deposition of InGaAsN using dilute nitrogen trifluoride

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 81.05.Ea; 81.15.Gh; 68.47.Fg; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Effect of gas flow on the selective area growth of gallium nitride via metal organic vapor phase epitaxy

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 81.15.Gh; 71.55.Eq; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; A3. Selective area growth; B1. Gallium nitride;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Photoelectric properties of highly excited GaN:Fe epilayers, grown by modulation- and continuous-doping techniques

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 73.61.Ey; 81.15.Gh; 72.20−i; 61.72.y; A1. characterization; A1. Defects; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Characteristics of Si and Mg doping in a-plane GaN grown on r-plane sapphire

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 68.37.Ps; 81.15.Gh; 78.55.CrA1. Atomic force microscopy; A1. Doping; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Structural characterization of InN films grown on different buffer layers by metalorganic chemical vapor deposition

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 81.15.Gh; 61.10.Nz; 68.37.PsA1. Atomic force microscopy; A1. X-ray diffraction; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. InN

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

All-optical characterization of carrier lifetimes and diffusion lengths in MOCVD-, ELO-, and HVPE- grown GaN

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 78.47.+p; 81.05.Ea; 72.20.JvA1. Characterization; A1. Defects; A3. Hydride vapor phase epitaxy; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Modeling analysis of the MOCVD growth of ZnO film

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 68.55.Ce; 81.15.Gh; 82.20.WtA1. Computational simulation; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B2. ZnO

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Blue and green emission using In(Ga)N/GaN quantum wells with InN well layers grown by metalorganic chemical vapor deposition

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 61.72.Ff; 68.55.Ln; 68.55.−aA1. Characterization; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Equilibrium analysis of zirconium carbide CVD growth

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 81.05.Je; 81.15.Gh; 82−60.−sA1. Phase equilibria; A3. Equilibrium analysis; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; A3. Zirconium carbide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Growth of ZrC thin films by aerosol-assisted MOCVD

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 31.15.Ew; 61.16.Bg; 61.16.Ch; 61.16.Ms; 81.05.Je; 81.15.GhA1. DFT calculation; A1. Phase equilibria; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Zirconium carbide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Metalorganic chemical-vapour-deposition (MOCVD) of InGaAs, BGaAs, and BInGaAs: Quantum chemical calculations on the mechanisms

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 82.33.Ya; 82.30.−bA1. Growth models; A2. Growth from vapor; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

MOCVD growth and electrical studies of p-type AlGaN with Al fraction 0.35

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 81.15.Gh; 73.61.EyA1. Doping; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitride; B2. Semiconducting aluminum compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

MOCVD growth of highly strained 1.3 μm InGaAs:Sb/GaAs vertical cavity surface emitting laser

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 45.55.Px; 81.15.Gh; 78.55.Cr; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. InGaAs:Sb; B2. Semiconductor; B3. Laser diodes; B3. Optical fiber devices; B3. VCSELs;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Evolution of mosaic structure in InN grown by metalorganic chemical vapor deposition

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 81.05.Ea; 81.15.Gh; 61.72.Dd; A1. Growth mode; A1. X-ray diffraction; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Indium nitride;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Growth of ZnO nanorods via metalorganic chemical vapor deposition and their electrical properties

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 81.07.Bc; 85.30.Tv; 61.46.+w; 73.63.Bd; 81.15.GhA1. Nanostructures; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Zinc oxide; B2. Semiconducting II–VI materials; B3. Field effect transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Bandgap engineering in semiconductor quantum dots

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 68.66.Hb; 81.16.−c; 71.55.Eq; 78.55.CrA1. Low-dimensional structures; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Growth of ZnO nanostructures in a chemical vapor deposition process

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 81.07.Bc; 81.05.Dz; 81.16.−c; 81.15.Gh; 71.35.Cc; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting II-VI materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Material characteristics of metalorganic chemical vapor deposition of Bi2Te3 films on GaAs substrates

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 72.20.Pa; 72.15.Jf; 85.80.Fi; 81.15.Gh; 68.55.Jk; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Bismuth compounds; B2. Thermoelectric materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Alternate deposition and hydrogen doping technique for ZnO thin films

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 61.72.Ji; 71.55.Gs; 78.30.Fs; A1. Crystal morphology; A1. Doping; A1. Surface processes; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B2. Semiconduction II-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Characteristics of InGaAsN-GaAsSb type-II “W” quantum wells

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; A1. Epitaxy; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; A3. Type-II quantum well; B3. Near-infrared

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Growth of Ga- and N- polar gallium nitride layers by metalorganic vapor phase epitaxy on sapphire wafers

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 68.55.Jk; 81.05.Ea; 81.15.GhA1. Crystal strcture; A3. Chemical vapor deposition process; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Correlation of the structural and ferromagnetic properties of Ga1−xMnxN grown by metalorganic chemical vapor deposition

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 75.50.Pp; 75.50.Ak; 78.55.Cr; 81.05.Ea; 81.15.Gh; 81.05.Zx; 85.75.−d; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B2. Magnetic materials; B2. Semiconducting gallium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

A nucleation study of group III-nitride multifunctional nanostructures

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 68.37.Ps; 68.65.−k; 78.30.Fs; 81.05.Ea; 81.15.Gh; 81.16.DnA1. Nanostructures; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; A3. Nitrides; A3. Quantum dots; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Selective MOCVD growth of single-crystal dense GaAs quantum dot array using cylinder-forming diblock copolymers

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 81.07.Ta; 81.15.GhA1. Nanostructures; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Influence of the trench depths of grooved GaN templates on the characteristics of overgrown AlGaN films

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 81.05.Ea; 81.15.Gh; 78.66.FdAl. Dislocations; A1. Trench depth; A3. Grooved GaN template; A3. Lateral growth; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B2. AlGaN

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Quantitative analysis of variant III CuAu-I-type ordering of AlxGa1−xAs on (1 1 0), (1 1 1)A and (0 0 1) GaAs substrates using X-ray diffraction

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; A1. High-resolution X-ray diffraction; A1. Substrates; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B2. Semiconducting gallium compounds; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Semiconducting aluminum compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Transmission electron microscopy study of defect reduction in two-step lateral epitaxial overgrown nonplanar GaN substrate templates

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 68.55.−a; 61.72.Lk; 81.05.Ea; 61.72.Ff; 68.37.−d; 81.15.Gh; 68.37.LpA1. Dislocation reduction; A1. Threading dislocation; A1. Transmission electron microscopy; A1. TEM; A3. lateral epitaxial overgrowth; A3. LEO; A3. Metalorganic chemical vapor deposition;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

A large-scale parametric study of InP deposition on patterned substrates

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; A3. Selective epitaxy; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

A study of the morphology of GaN seed layers on in situ deposited SixNy and its effect on properties of overgrown GaN epilayers

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 81.15.Gh; 68.55.Jk; 68.37.Hk; 73.61.EyA1. Morphology; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Growth and characterization of pendeo-epitaxial GaN(112¯0) on 4H–SiC(112¯0) substrates

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 61.72.V; 73.50; 81.05; 81.15; 61.16.C; 61.16.BA1. Atomic force microscopy, A1. Crystal morphology; A1. Surfaces; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; A3. Pendeo-epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Crystal morphology evolution in film growth: A general approach

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 81.10.Aj; 81.15.AaA1. Crystal morphology; A1. Diffusion; A1. Growth models; A1. Interfaces; A3. Metalorganic chemical vapor deposition

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Fabrication of p-type ZnO thin films via MOCVD method by using phosphorus as dopant source

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 61.72.V; 72.80.E; 73.61.G; 78.66.H; A1. p-type conduction; A1. Doping; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Zinc compounds; B2. Semiconducting II-VI materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Absence of local-potential fluctuation effects in Si-doped InxGa1−xN epilayers studied by optical characterizations

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 71.55.Eq; 73.50.Gr; 78.40.Fy; 78.66.Cr; A1. Characterization; A2. Doping; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Spontaneous and stimulated emission in quantum structures grown over bulk GaN and sapphire

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 78.45.+h; 78.47.+p; 78.67.De; A1. Characterization; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Highly aligned ZnS nanorods grown by plasma-assisted metalorganic chemical vapor deposition

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 81.15.Gh; 78.67.Lt; 78.67.−n; A1. Nanostructure; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Zinc compounds; B2. Semiconducting II-VI materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Temperature induced shape change of highly aligned ZnO nanocolumns

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 78.66.Hf; 78.67.Bf; 81.15.Gh; A1. Nanostructures; A2. Single crystal growth; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Zinc oxide; B2. Semiconducting II-VI materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Infrared spectroscopy of polycrystalline ZnO and ZnO:N thin films

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 71.55.Gs; 78.30.Fs; 81.15.Gh; A1. Characterization; A1. Impurities; A1. FTIR-spectroscopy; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Oxides; B1. Zinc compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Field emission properties of self-assembled InN nano-structures: Effect of Ga incorporation

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 81.15.Gh; 68.55.Jk; 68.37.Sk; A1. Nanostructures; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Nanostructure formation and emission characterization of blue emission InN/GaN quantum well with thin InN well layers

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 61.72.Ff; 68.55.Ln; 68.55.−a; A1. Characterization; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Early stage growth behavior of ZnO nanoneedle arrays on Al2O3 (0 0 0 1) by metalorganic chemical vapor deposition

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 61.10.Nz; 68.55.Jk; 78.67.−n; 79.60.Jv; 81.07.Bc; 81.15.Gh; A1. High-resolution X-ray diffraction; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Zinc oxide; B2. Semiconducting II-VI materials; B3. Light emitting diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Epitaxial growth of high-quality GaN on appropriately nitridated Si substrate by metal organic chemical vapor deposition

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 81.15.Gh; 61.82.Fk; A1. Nitridation; A1. Photoluminescence; A1. Si(1 1 1) substrate; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. GaN;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Crack-free GaN/Si(1 1 1) epitaxial layers grown with InAlGaN alloy as compliant interlayer by metalorganic chemical vapor deposition

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 68.55.a; 81.15; A1. Cracks; A1. Si(1 1 1) substrate; A1. Stresses; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. GaN; B2. InAlGaN buffer;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

ZnO nanostructure networks grown on silicon substrates

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 78.66.J; 61.46; 81.05.Dz; 81.15.Kk; A1. Crystal morphology; A1. Nanaostructures; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Zinc compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Low-temperature growth of InN by MOCVD and its characterization

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 81.05.Ea; 81.10.−h; 81.15.Gh; A1. Growth rate; A1. In situ reflectometry; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. InN;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Improvement in microstructure and crystal alignment of ZnO films grown by metalorganic chemical vapor deposition using a seed layer

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 68.55.−a; 81.05.Dz; 81.15.Gh; A1. Crystal morphology; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Zinc oxide; B2. Semiconducting II-VI materials; B3. Light-emitting diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Room temperature chemical vapor deposition of c-axis ZnO

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات; 81.15.Gh; 68.47.Gh; 61.10.Nz; A1. X-ray diffraction; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Oxides; B1. Zinc compounds; B2. Semiconducting II-VI materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه