دانلود مقالات ISI درباره A3 چاه های کوانتومی + ترجمه فارسی

Synthesis and spectral properties of starch capped CdS nanoparticles in aqueous solution

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; 78.67.Bf; 81.07.Pr; 81.16.BeA1. Low-dimensional structure; A1. Nanostructures; A3. Quantum wells; B1. Nanomaterials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

On the long-wavelength optimization of highly strained InGaAs/GaAs quantum wells grown by metal–organic vapor-phase epitaxy

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; 68.65.Fg; 78.67.De; 81.15.KkA1. Photoluminescence; A1. Substrates; A3. Metal–organic vapor-phase epitaxy; A3. Quantum wells; B2. InGaAs

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Optimization of the highly strained InGaAs/GaAs quantum well lasers grown by MOVPE

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; 81.15.Gh; 68.65.Fg; 78.55.CrA1. Characterization; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Quantum wells; B3. Laser diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

The influence of the growth temperature and interruption time on the crystal quality of InGaAs/GaAs QW structures grown by MBE and MOCVD methods

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; 68.35.Ct; 68.37.Ps; 68.65.Fg; 78.55.Cr; 78.67.DeA1. Interfaces; A1. Roughening; A3. Quantum wells; A3. MBE; A3. MOCVD; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Photoreflectance study of InGaAs/AlAsSb quantum wells grown by molecular beam epitaxy

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; 78.55.Cr; 73.20.r; 78.67.De; 81.05.EaA1. Photoreflectance; A3. Quantum wells; B1. InGaAs/AlAsSb

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

InGaN/GaN quantum wells with low growth temperature GaN cap layers

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; 78.55.Cr; 78.67.De; 81.10.Bk; 81.15.KkA1. Photoluminescence; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Quantum wells; B1. InGaN

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Influence of interface interruption on spin relaxation in GaAs (1 1 0) quantum wells

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; 78.66.Fd; 81.15.Hi; 73.50.−hA1. X-ray diffraction; A3. Molecular-beam epitaxy; A3. Quantum wells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Effects of annealing on TlGaAs/GaAs single hetero structures and TlGaAs/GaAs multiple quantum well structures grown by low-temperature MBE

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; 61.72.Cc; 81.15.Hi; 81.05.Ea; 68.65.Fg; 81.40.−z; A1. Point defects; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Optimization of GaInNAs(Sb)/GaAs quantum wells at 1.3-1.55μm grown by molecular beam epitaxy

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; 68.65.Fg; 42.55.−f; A3. Quantum wells; B3. Laser;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Influence of growth parameters on the properties of InGaN/GaN multiple quantum well grown by metalorganic chemical vapor deposition

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; 78.55.Cr; 78.66.Fd; 68.65.+G; 81.15.GhA3. Metalorganic chemical vapor deposition; A3. Quantum wells; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Analysis of inductively coupled argon plasma-enhanced quantum-well intermixing process for multiple bandgap implementation

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; 52.40.Hf; 61.72.Ji; 78.55.Cr; 81.07.St; A1. Inductively coupled plasma; A3. Quantum wells; A3. Quantum-well intermixing; B3. Photonic-integrated circuits;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

The role of Sb in the molecular beam epitaxy growth of 1.30-1.55 μm wavelength GaInNAs/GaAs quantum well with high indium content

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; 78.55.Cr; 81.15.Hi; 68.35.Dv; 42.55.Px; A1. Photoluminescence; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Photoluminescence and structural properties of GaInNAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy under different arsenic pressures

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; 81.15.H; 78.55; 78.66A1. Photoluminescence; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Dilute nitride alloys

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

MOCVD growth of 980 nm InGaAs/GaAs/AlGaAs graded index separate confinement heterostructure quantum well lasers with tertiarybutylarsine

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; 42.55.Px; 68.65.Fg; 78.55.Cr; 81.15.GhA3. Metalorganic chemical vapor deposition; A3. Quantum wells; B1. TBAs; B3. Laser diode

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Nitrogen content of GaAsN quantum wells by in situ monitoring during MOVPE growth

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; 81.15.Gh; 81.05.Ea; 81.70.Fy; 78.67.De; A1. In situ monitoring; A3. Metal-organic vapor phase epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Dilute nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Interrelationships in the electronic and structural characteristics of strained InAs quantum well structures

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; A3. Quantum wells; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Antimonides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

MBE growth and optical properties of highly tensile-strained In1−xGaxAs/In0.52(Ga0.4Al0.6)0.48As multi-quantum-wells using digital alloy

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; 78.55.Cr; 78.67.De; 81.15.Hi; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Optical properties of inGaAs/GaAs quantum wells grown by Sb-assisted molecular beam epitaxy

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; 78.67.De; 81.15.Hi; 82.70.Uv; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

MBE growth of highly strained InGaPN/GaPN quantum well with high indium content

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; A1. High-resolution X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B2. Semiconducting quaternary alloys; B3. Light emitting diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Transmission electron microscopy study on pre-strained InGaN/GaN quantum wells

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; 73.21; A3. Metalorganic vapor phase; A3. Quantum wells; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Epitaxial lift-off of MBE grown II-VI heterostructures using a novel MgS release layer

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; 78.55.Et; 81.15.Hi; 68.90.+g; A1. Etching; A1. Solubility; A3. MBE; A3. Quantum wells; B1. Sulphides; B2. Semiconducting II-VI compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Triggered luminescence in a strained Si1−xGex/Si single quantum well with surface as an electron reservoir

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; 73.20.Jc; 78.55.Ap; 78.66.Db; A3. Quantum wells; B1. Germanium silicon alloys; B3. Triggered luminescence;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

The thickness dependence of InAs sandwiched by GaAlAsSb layers grown by MBE

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; 73.63.Hs; 81.15.Hi; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Indium arsenide; B1. Antimonides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Micro-Raman scattering study of InGaAs/(AlAs)/AlAsSb quantum wells grown by molecular beam epitaxy

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; 61.50.c; 78.20.e; A1. Raman scattering; A1. Plasmon-LO-phonon coupling; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B1. InGaAs/AlAsSb; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Low threshold InGaAsN/GaAs lasers beyond 1500 nm

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; 42.55.Px; 78.55.Cr; 81.05.Ea; 81.15.Hi; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Arsenides; B1. Dilute nitrides; B2. Semiconducting quarternary alloys; B3. Laser diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Growth and characterization of InAsN alloy films and quantum wells

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; 73.20.Dx; 78.66.Fd; 81.15.Hi; A1. Optical properties; A1. X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; A3. Thin film; B1. Dilute nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Influence of arsenic pressure on photoluminescence and structural properties of GaInNAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; 81.15.H; 78.55; 78.66; A1. Photoluminescence; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Dilute nitride alloys;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Investigation of the design parameters of AlN/GaN multiple quantum wells grown by molecular beam epitaxy for intersubband absorption

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; 78.67.De; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Nitrides; B1. Intersubband absorption;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

In-situ mask removal in selective area epitaxy using metal organic chemical vapor deposition

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; A3. Selective epitaxy; B1. Halides; A1. Etching; A3. Quantum wells; B1. Oxides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

>100% output differential efficiency 1.55-μm VCSELs using submonolayer superlattices digital-alloy multiple-active-regions grown by MBE on InP

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; 42.55.Px; 78.66.−w; 81.15.Hi; A1. Photoluminescence; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B3. Laser diodes; B3. Vertical cavity lasers;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Influence of dislocation and ionized impurity scattering on the electron mobility in GaN/AlGaN heterostructures

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; 72.20.My; 72.10.Fk; 73.50.Jt; A3. Molecular Beam epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Critical RF damage conditions for the plasma-assisted molecular beam epitaxy growth of GaInNAs with dilute N2/Ar gas mix

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; 39.10.+j; 52.50.Dg; 72.80.Ey; 78.55.Cr; 78.66.Fd; 81.05.Ea; 81.10.−h; 81.15.Hi; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium arsenide; B2. Semiconducting gallium compounds; B3. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

MBE growth and properties of GaAsSbN/GaAs single quantum wells

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; 71.55.Eq; 73.21.Fg; 78.55.Cr; 78.67.De; A1. High-resolution X-ray diffraction; A1. Reflection high-energy electron diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Nitride; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Long wavelength laser dio

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Effects of silicon doping on the nanostructures of InGaN/GaN quantum wells

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; 68.37.−d; 78.45.+h; 78.55.Cr; 78.60.Hk; A1. Segregation; A3. Quantum wells; B1. Nitrides; B3. Light emitting diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه