دانلود مقالات ISI درباره A3 چاه های کوانتومی + ترجمه فارسی

Growth mechanisms in semipolar (202¯1) and nonpolar m  -plane (101¯0) AlGaN/GaN structures grown by PAMBE under N-rich conditions

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; A1. Desorption; A1. Interfaces; A1. Segregation; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Effect of surface defects on InGaAs/InAlAs Quantum Cascade mesa current–voltage characteristics

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Quantum Cascade device

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Effect of hetero-interfaces on in situ wafer curvature behavior in InGaAs/GaAsP strain-balanced MQWs

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; A1. Surface structure; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Gallium compounds; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Growth pressure dependence of optical and structural properties of a-plane InGaN/GaN multi-quantum wells on r-plane sapphire

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; A3. Quantum wells; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Suppressed lattice relaxation during InGaAs/GaAsP MQW growth with InGaAs and GaAs ultra-thin interlayers

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; A1. Characterization; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Gallium compounds; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Smoothness and cleanliness of the GaAs (100) surface after thermal desorption of the native oxide for the synthesis of high mobility structures using molecular beam epitaxy

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; A1. Atomic force microscopy; A1. Desorption; A1. Roughening; A1. Secondary ion mass spectroscopy; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Effect of interface grading and lateral thickness variation on x-ray diffraction by InGaN/GaN multiple quantum wells

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; A1. Interface structure and roughness; A1. X-ray diffraction; A3. Quantum wells; A3. Superlattices; B2. Semiconducting III-nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Surface morphology and photoluminescence of InGaAs quantum rings grown by droplet epitaxy with varying In0.5Ga0.5 droplet amount

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; A1. Nanostructure; A1. Atomic force microscopy; A1. Characterization; A3. Quantum wells; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Optical and structural properties of Pb1−xEuxTe/CdTe//GaAs (0 0 1) heterostructures grown by MBE

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; A1. Photoluminescence; A3. Molecular beam epitaxy (MBE); A3. Quantum wells; B2. II-VI semiconductors; B2. Semiconducting lead compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Controlled growth of exciton-polariton microcavities using in situ spectral reflectivity measurements

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; A1. Polaritons; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Microcavities;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

AlGaAsSb superlattice buffer layer for p-channel GaSb quantum well on GaAs substrate

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; A1. Nanostructures; A1. Photoluminescence; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; A3. Superlattices; B2. Semiconducting AlGaAsSb quaternary alloys;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Crystallization of amorphous InAs/GaAs films on GaAs

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; A1. Recrystallization; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; A3. Selective epitaxy; B2. Semiconductor III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Effect of indium incorporation on optical and structural properties of m-plane InGaN/GaN MQW on LiAlO2 substrates

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; A1. X-ray diffraction; A1. Segregation; A1. Line defects; A3. Quantum wells; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

The structural and optical properties of selectively grown a-plane GaN with LT-GaN and HT-AlN buffer layers

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; A3. Selective epitaxy; A3. Quantum wells; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitride; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Characterization and optimization of 2-step MOVPE growth for single-mode DFB or DBR laser diodes

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; A1. Interfaces; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Quantum wells; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Laser diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Study of green light-emitting diodes grown on semipolar (11–22) GaN/m-sapphire with different crystal qualities

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; A3. Quantum wells; B1. Nitrides; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Characterization of an AlGaAs/GaAs quantum well prepared on objects of pyramidal shape

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; A3. Quantum wells; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Patterned substrate

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

In situ curvature monitoring for metal–organic vapor phase epitaxy of strain-balanced stacks of InGaAs/GaAsP multiple quantum wells

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; A1. Characterization; A3. Metal–organic vapor phase epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Gallium compounds; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

MOVPE growth and properties of light emitting diodes with an incorporated InMnAs ferromagnetic layer

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; A3. Metal organic vapour phase epitaxy; A3. Quantum wells; B2. Magnetic materials; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Light emitting diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Band gap engineering with sub-monolayer nitrogen insertion into InGaAs/GaAs quantum well

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; A1. Doping; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Selective area epitaxy of InGaN quantum well triangular microrings with a single type of sidewall facets

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; A1. Crystal morphology; A1. Optical properties; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Quantum wells; A3. Selective area epitaxy; B2. III-Nitride compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Observation of optical bleaching at 1.06 μm in AlInAs/AlGaInAs multiple quantum wells

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Quantum wells; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Nonlinear optical;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Low-angle misorientation dependence of the optical properties of InGaAs/InAlAs quantum wells

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; A1. Characterization; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Quantum wells; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Strained GaAsSb/GaAs QW structures grown by MBE on GaAs (1 0 0) for applications near 1.3 micron

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; 81.15.Hi; 81.15.Aa; 78.67.De; 85.35.Be; 81.07.StA3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Antimonides; B3. Laser diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

InAsyP1−y metamorphic buffer layers on InP substrates for mid-IR diode lasers

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; A3. Organometallic vapor phase epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Antimonides; B1. Phosphides; B3. Laser diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

MOVPE growth and properties of non-polar InGaN/GaN multiple quantum wells on γ-LiAlO2 substrates

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; A1. Characterization; A3. MOVPE; A3. Quantum wells; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

AlGaAs/GaAs/AlGaAs quantum wells as a sensitive tool for the MOVPE reactor environment

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; A1. Purifiers; A3. Metalorganic vapour phase epitaxy; A3. Quantum wells; B2. Arsine; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Revised Erratum to “Key inventions in the history of nitride-based blue LED and LD” Isamu Akasaki [J. Crystal Growth 300 (2007) 2-10]

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; 71.55.Eq; 78.60.Fi; 81.05.Ea; 81.15.Gh; 85.30.Kk; 85.60.q; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds; B3. Laser diodes; B3. Light emitting diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Fabrication and characterization of GaAs quantum well buried in AlGaAs/GaAs heterostructure nanowires

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; A1. Nanowire; A1. Photoluminescence; A1. Transmission electron microscopy; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Quantum wells; B2. AlGaAs/GaAs;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

On the existence of submicron diameter current shunts in morphologically perfect device layers

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; A1. Defects; A1. Etching; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Heterojunction semiconductor devices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Strain-compensated GaInAs/AlInAs/InP quantum cascade laser materials

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; A2. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Quantum wells; A3. Semiconducting III–V materials; B3. Heterojunction semiconducting devices; B3. Quantum cascade lasers

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Demonstration of high-mobility electron and hole transport in a single InGaSb well for complementary circuits

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; 72.80.Ey; 73.61.Ey; 81.05.Ea; 85.30.TvA3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Field-effect transistors; B3. High electron mobility transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Growth and characterization of m-plane GaN-based layers on LiAlO2 (1 0 0) grown by MOVPE

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; 78.55.−m; 78.66.Fd; 78.67.De; A1. Characterization; A1. High resolution XRD; A3. MOVPE; A3. Quantum wells; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Strained quantum wells in scrolled structures studied by μ-photoluminescence

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; 78.67.De; 81.15.Hi; A1. Curved semiconducting layer stacks; A1. Low-dimensional structures; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

GaInAsN growth studies for InP-based long-wavelength laser applications (TUA3-3)

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; 61.05.Cp; 78.55.Cr; 78.66.Fd; 81.05.Ea; 81.07.St; 81.15.Hi; 85.60.Bt; A3. Quantum wells; A3. Superlattices; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Comparison of structural and optical properties of GaSb/AlGaSb quantum well structures grown on different oriented Si substrates

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; 68.37.Lp; 78.55.Cr; 78.66.Fd; 78.67.De; 81.05.Ea; 81.15.HiA3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Antimonides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

MBE growth of active regions for electrically pumped, cw-operating GaSb-based VCSELs

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; 42.55.Px; 73.63.HsA1. Computer simulation; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Antimonides; B2. Semiconducting quaternary alloys; B3. Infrared devices; B3. Laser diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Optimization of AlInGaAs/InGaAs/InAs strain compensated triangular quantum wells grown by gas source molecular beam epitaxy for laser applications in 2.1-2.4 μm range

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; 81.05.Ea; 81.15.Hi; 78.67.de; 61.05.cp; A1. Photoluminescence; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Arsenides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

HRTEM investigation of high-reflectance AlN/GaN distributed Bragg-reflectors by inserting AlN/GaN superlattice

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; 61.82.Fk; 68.65.Fg; 81.15.GhA1. Characterization; A3. Metal-organic chemical vapor deposition; A3. Quantum wells; B1. Nitrides; B2. Semiconducting aluminum compounds; B3. Laser diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Quality and thermal stability of thin InGaN films

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; 61.72.J−; 78.55.CR; 78.67.DeA1. Diffusion; A1. Thermal stability; A1. Point defects; A3. Quantum wells; B1. InGaN; B3. Laser diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

MOVPE growth of InGaAs/GaAsP-MQWs for high-power laser diodes studied by reflectance anisotropy spectroscopy

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; 42.55.Px; 61.72.Ff; 78.66.Fd; 81.05.Ea; 81.15.GhA1. Reflectance anisotropy spectroscopy (RAS/RDS); A3. Metalorganic vapour phase epitaxy; A3. Quantum wells; B1. GaAsP; B1. InGaAs; B3. Laser diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Growth of InAsSb/InAs MQWs on GaSb for mid-IR photodetector applications

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. Interfaces; A3. Organometallic vapor phase epitaxy; A3. Quantum wells; A3. Superlattices; B1. Antimonides68.37.LP

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

GaSb-based VCSELs emitting in the mid-infrared wavelength range (2–3 μm) grown by MBE

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; 42.55.Px; 78.55.Cr; 81.05.Ea; 81.07.Ta; 85.35.BeA3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Antimonides; B3. Laser diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Study of AlGaAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy on GaAs substrates subjected to different treatments

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; 81.05.Ea; 81.15.Hi; 68.37.Ps; 78.67.De; 68.49.Sf; A1. Carbon; A1. GaAs surface treatment; A1. Impurities; A1. Oxygen; A3. Quantum wells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

MBE growth of GaAsN/GaP(N) quantum wells with abrupt heterointerfaces for photonics applications on Si substrates

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; 78.55.Cr; 78.67.DeA3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Light-emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Interface properties of (Ga,In)(N,As) and (Ga,In)(As,Sb) materials systems grown by molecular beam epitaxy

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; 81.07.St; 81.05.Ea; 81.15.Hi; 68.35.Ct; 68.35.Dv; 68.37.Lp; A1. Interfaces; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; A3. Superlattices; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

The influence of the growth rate and V/III ratio on the crystal quality of InGaAs/GaAs QW structures grown by MBE and MOCVD methods

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; 68.35.Ct; 68.37.Ps; 68.65.Fg; 78.55.Cr; 78.67.DeA1. Interfaces; A1. Roughening; A3. MOCVD; A3. MBE; A3. Quantum wells; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Ambience effects in annealing on improvements of optical properties of GaInNAs/GaAs single quantum wells

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; A3. Metalorganic vapor-phase epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Laser diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

MOVPE growth and characterization of InAlGaN films and InGaN/InAlGaN MQW structures

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; 73.21.Fg; 78.55.Cr; 78.66.Fd; 78.67.DeA3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Quantum wells; B1. InAlGaN

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Properties of non-polar a-plane GaN/AlGaN quantum wells

Keywords: A3 چاه های کوانتومی; A1. Characterization; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه