![این مقاله در پایگاه ساینس دایرکت منتشر شده است Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت](/assets/img/Elsevier-Logo.png)
Resistive switching in TiO2-based metal–insulator–metal structures with Al2O3 barrier layer at the metal/dielectric interface
Keywords: مانع; Resistive switching; Al2O3; Barrier; TiO2; Bilayer structure; Current compliance; MIM