دانلود مقالات ISI درباره ارتفاع مانع + ترجمه فارسی

The nature of intramolecular hydrogen bond in 2-nitromalonaldehyde

Keywords: ارتفاع مانع; Two dimensional double minimum potential; 2-Nitromalonaldehyde; Proton tunneling; Tunneling frequency; Barrier height;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Temperature dependence of current–voltage characteristics of gold–strontium titanate thin film Schottky diode

Keywords: ارتفاع مانع; Strontium titanate; Junction; Pulsed laser; Barrier height; Ideality factor

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Characteristics of ZnO MSM UV photodetector with Ni contact electrodes on poly propylene carbonate (PPC) plastic substrate

Keywords: ارتفاع مانع; ZnO; DC sputtering; Barrier height; Metal–semiconductor–metal (MSM) photodiodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Properties of Tl4Se3S single crystals and characterization of Ag/Tl4Se3S Schottky barrier diodes

Keywords: ارتفاع مانع; 73.40.Sx; 72.15.Eb; 72.20.DpSchottky; Band gap; Barrier height; Single crystal

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Ta/Si Schottky diodes fabricated by magnetron sputtering technique

Keywords: ارتفاع مانع; Tantalum; Schottky diodes; Barrier height; Series resistance; Sputtering

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Investigations on the nonidealities in Pd/n-GaN Schottky diodes grown by MOCVD

Keywords: ارتفاع مانع; GaN; Defects; Schottky diode; Barrier height; Leakage current

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Effect of work-function of contacting metal on metal-molecules–silicon junctions

Keywords: ارتفاع مانع; Dipole moment; Barrier height; Work-function; Molecular junctions; Schottky junctions

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Determination of the laterally homogeneous barrier height of palladium Schottky barrier diodes on n-Ge (1 1 1)

Keywords: ارتفاع مانع; Barrier height; Germanium; Metal-semiconductor; Ideality factor; Inhomogeneity

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Region-dependent behavior of I–V characteristics in n-ZnO:Al/p-Si contacts

Keywords: ارتفاع مانع; Heterojunction; ZnO/Si; I–V; Barrier height

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Effect of KOH treatment on the Schottky barrier inhomogeneity in Ni/n-GaN

Keywords: ارتفاع مانع; KOH treatment; Barrier height; Lateral inhomogeneity; Surface states

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Temperature dependent electrical characteristics of an organic–inorganic heterojunction obtained from a novel organometal Mn complex

Keywords: ارتفاع مانع; Ideality factor; Barrier height; Series resistance; Organometal complex; Macrocyclic hexaamide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Dependency of barrier height and ideality factor on identically produced small Au/p-Si Schottky barrier diodes

Keywords: ارتفاع مانع; Schottky barrier diodes; Conducting probe-atomic force microscope; Barrier height; Ideality factor

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

The analysis of the charge transport mechanism of n-Si/MEH-PPV device structure using forward bias I-V-T characteristics

Keywords: ارتفاع مانع; 73.40.Sx; 73.40.Qv; 73.30.+y; 73.40.Ns; 84.37.+q; 61.80.−x; Schottky diodes; I-V characteristics; Ideality factor; Series resistance; Barrier height; MEH-PPV; Heterojunction diode;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Effect of series resistance on the electrical characteristics and interface state energy distributions of Sn/p-Si (MS) Schottky diodes

Keywords: ارتفاع مانع; MS contact; Ideality factor; Series resistance; Interface-state density; Barrier height; Si

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

The effect of hydrostatic pressure on the electrical characterization of Au/n - InP Schottky diodes

Keywords: ارتفاع مانع; Schottky barrier diode; Barrier height; Hydrostatic pressure; Ideality factor; Interface states; Fermi level pinning;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Electrical conduction in SnO2 varistors

Keywords: ارتفاع مانع; 73.30.+y; 73.40.−c; 73.50.FqNon-Ohmic conduction; Grain boundary; Barrier height; Tin dioxide; Varistor; Negative capacitance

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

60Co γ-irradiation effects on electrical properties of a rectifying diode based on a novel macrocyclic Zn octaamide complex

Keywords: ارتفاع مانع; Rectifying diode; Barrier height; γ-irradiation; Macrocyclic complex; Octaamide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Analysis of current–voltage–temperature (II–VV–TT) and capacitance–voltage–temperature (CC–VV–TT) characteristics of Ni/Au Schottky contacts on n-type InP

Keywords: ارتفاع مانع; Schottky contacts; II–VV–TT and CC–VV–TT characteristics; Gaussian distribution; Barrier height

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 13 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Fabrication and electrical characterization of Au/p-Si/STO/Au contact

Keywords: ارتفاع مانع; 73.40.Cg; 73.40.Ei; 73.40.Ns; 73.61.-r; 73.61.JcStrontium titanate; Pulsed laser; Thin films; Barrier height; Ideality factor

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Internal photoemission spectroscopy measurement of Alq3/cathode interface by three layered electron only device

Keywords: ارتفاع مانع; Internal photoemission; Barrier height; Alq3; Electron only device

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Order parameter and barrier height in LaSrMnO cluster glasses

Keywords: ارتفاع مانع; 75.50.-y; 61.43.Er; 61.46.BcManganite films; Cluster glasses; Order parameter; Barrier height

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Temperature dependence of barrier height parameters of inhomogeneous Schottky diodes

Keywords: ارتفاع مانع; 73.30.+y; 73.40.Ei; 73.40.NsSchottky diode; Ideality factor; Barrier height

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Extraction of electronic parameters of Schottky diode based on an organic semiconductor methyl-red

Keywords: ارتفاع مانع; 07.50.−e; 87.15.PcSchottky diodes; Series resistance; Ideality factor; Barrier height

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Analysis of temperature dependent I–VI–V measurements on Pd/ZnO Schottky barrier diodes and the determination of the Richardson constant

Keywords: ارتفاع مانع; 71.55.--i; 72.10.Bg; 72.20.Jv; 79.40.++zSchottky contacts; Electrical characterization; Richardson constant; Barrier inhomogeneities; Barrier height; DLTS

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

A comparative study of Schottky barrier height enhancement by realized pseudo-Schottky diodes on p-InP

Keywords: ارتفاع مانع; InP; Electrical measurements; Schottky diode; Barrier height

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Space charge limited currents and traps distribution in Ag–As–Te thin films glasses

Keywords: ارتفاع مانع; Thin films; Space charge limited current; Barrier height

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Temperature dependent capacitance and DLTS studies of Ni/n-type 6H-SiC Schottky diode

Keywords: ارتفاع مانع; 73.40.Sx; 73.30.+y; 73.40.EiSilicon carbide; Schottky diodes; Barrier height; Electrical properties and characterization; Deep level transient spectroscopy (DLTS)

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Series resistance determination of Au/Polypyrrole/p-Si/Al structure by current–voltage measurements at low temperatures

Keywords: ارتفاع مانع; Conducting polymers; Polypyrrole; Ideality factor; Barrier height; Series resistance

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Current–voltage and capacitance–voltage characteristics of a Sn/Methylene Blue/p-Si Schottky diode

Keywords: ارتفاع مانع; 73.30.+y; 73.40.Ei; 73.40.NsSchottky diode; Organic–inorganic heterojunction; Barrier height; Interface layer; Methylene Blue

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

The analysis of the series resistance and interface states of MIS Schottky diodes at high temperatures using I–V characteristics

Keywords: ارتفاع مانع; MIS Schottky diodes; I–V characteristics; Ideality factor; Barrier height; Interface states; Series resistance

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

The analysis of lateral distribution of barrier height in identically prepared Co/n-Si Schottky diodes

Keywords: ارتفاع مانع; 73.30. +y; 73.40.Ei; 73.40.Ns; 73.40.SxSilicon; Metal–semiconductor structures; Barrier height; Ideality factor; Inhomogeneity

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Electrical properties of gallium arsenide surfaces and interfaces treated by Ru(3+) ions

Keywords: ارتفاع مانع; Schottky diodes; GaAs; Ru(3+); Barrier height

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Study of Gaussian distribution of inhomogeneous barrier height for n-InSb/p-GaAs heterojunction prepared by flash evaporation

Keywords: ارتفاع مانع; Gaussian distribution; Barrier height; n-InSb/p-GaAs; Flash evaporation;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Electrical characterization of current conduction in Au/TiO2/n-Si at wide temperature range

Keywords: ارتفاع مانع; Au/TiO2/n-Si Schottky barrier diodes; I–V characteristics; Barrier height; Inhomogeneous barrier; Gaussian distribution

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Theoretical studies of RNA catalysis: Hybrid QM/MM methods and their comparison with MD and QM

Keywords: ارتفاع مانع; Ab initio; DFT; Transition state; Barrier height; ONIOM; Potential of mean force; EVB; Phosphoryl transfer; Ribozyme; RNA self-cleavage

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 15 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Admittance spectroscopic analysis of organic light emitting diodes with the CFX plasma treatment on the surface of indium tin oxide anodes

Keywords: ارتفاع مانع; Organic light emitting diodes; Admittance spectroscopy; CFX treatment; Barrier height

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Analysis of interface states and series resistance of MIS Schottky diodes using the current–voltage (I–V) characteristics

Keywords: ارتفاع مانع; MIS Schottky diodes; I–V characteristics; Ideality factor; Barrier height; Interface states

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Fabrication and electrical characteristics of Schottky diode based on organic material

Keywords: ارتفاع مانع; Schottky diode; Barrier height; Ideality factor; Series resistance; Orange G

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Barrier height inhomogeneities in a Ni/SiC-6H Schottky n-type diode

Keywords: ارتفاع مانع; Schottky diode; Barrier height; Inhomogeneities; Ni/SiC-6H material

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

The interface states analysis of the MIS structure as a function of frequency

Keywords: ارتفاع مانع; MIS structure; Ideality factor; Barrier height; Interface states; Relaxation time; Frequency dependence

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Ab initio molecular dynamics studies of the OH + D2 → HOD + D reaction: Direct classical trajectory calculations by MP2

Keywords: ارتفاع مانع; Barrier height; MP2; Electronic structure methods; Direct classical trajectory calculations; BOMD;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Hydrogen-atom production channels of acetaldehyde photodissociation: Direct DFT molecular dynamics study

Keywords: ارتفاع مانع; Acetaldehyde; Photodissociation; Hydrogen-atom production channel; Lowest triplet-state potential energy surface; Barrier height; Density-functional theory; B3LYP; On-the-fly classical-trajectory calculation;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Vertical transport in GaAs/ Ga1−yAlyAs barrier structures containing quantum wells: Current–temperature characteristics

Keywords: ارتفاع مانع; Barrier structures; Vertical transport; Barrier height; Thermionic emission; Fowler–Nordheim tunnelling; Sequential resonant tunnelling

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 12 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Effect of surface preparation on the properties of Au/p-Cd1−xZnxTe

Keywords: ارتفاع مانع; 71.55.Gs; 73.20.−r; 73.40.Sx; 73.40.Qv; Cd1−xZnxTe; Barrier height; Zn concentration dependence; Native oxide layer;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Highly stable persistent spectral hole burning in Eu3+ ions doped oxy-fluoride glasses of 30CaF2-10Al2O3-60B2O3

Keywords: ارتفاع مانع; 42.70.−a; 42.70.Ln; 71.23.−k; 71.23.Cq; 71.55.−i; Oxy-fluoride glass; Hole stability; Barrier height;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Barrier modification of Au/n-GaAs Schottky diode by swift heavy ion irradiation

Keywords: ارتفاع مانع; 71.20.Nr; 71.55.Eq; 72.20.−i; 73.20.−r; 73.20.At; 73.40.Sx; Schottky diode; Ion irradiation; Barrier height; In situ I-V; Ideality factor;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Interfacial differences in enhanced schottky barrier height Au/n-GaAs diodes deposited at 77 K

Keywords: ارتفاع مانع; GaAs; Barrier height;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Effects of swift heavy ion irradiation on the electrical characteristics of Au/n-GaAs Schottky diodes

Keywords: ارتفاع مانع; Schottky diodes; in situ I-V; Barrier height; Reverse leakage current; Energy loss;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Space charge limited current conduction in Bi2Te3 thin films

Keywords: ارتفاع مانع; Bi2Te3 thin films; DC conduction; SCLC; Activation energy; Carrier mobility; Barrier height

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Analysis of current–voltage–temperature characteristics in SiC Schottky diodes using threshold-accepting simulated-annealing techniques

Keywords: ارتفاع مانع; 4H-SiC; Schottky diode; IVT; Thermionic emission; Barrier height; Ideality factor; Nonhomogeneous barrier; Simulated annealing; Threshold accepting; Curve fitting; Simulation

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه