![این مقاله در پایگاه ساینس دایرکت منتشر شده است Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت](/assets/img/Elsevier-Logo.png)
Direct band gap InxGa1âxAs/Ge type II strained quantum wells for short-wave infrared p-i-n photodetector
Keywords: جریان تاریک; Band engineering; Absorption; Strained Ge/InxGa1âxAs; Infrared photodetector; Dark current;