کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10669594 | 1008752 | 2015 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The formation of poly-Si films on flat glass substrates by flash lamp annealing
ترجمه فارسی عنوان
شکل گیری پلی سای روی فیلم بر روی بسترهای شیشه ای تخت با استفاده از آنالیز لامپ فلش
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
لامپ فلش آنیلینگ، سیلیکون آمورف، سیلیکون پلی کریستالی، بلورسازی، استرس فیلم،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
چکیده انگلیسی
We have succeeded the formation of polycrystalline silicon (poly-Si) films by flash lamp annealing (FLA) of 4-μm-thick intrinsic amorphous silicon (a-Si(i)) films deposited directly on flat glass substrates by tuning catalytic chemical vapor deposition conditions. The use of a-Si(i) films deposited without intentional substrate heating leads to the suppression of Si film peeling during FLA. The a-Si(i) films deposited at room temperature have low film density, low film stress, and high defect density, compared to a-Si(i) films deposited at higher temperatures. The prevention of Si film peeling may be due to the low film stress and/or the suppression of the emergence of lateral explosive crystallization by using a-Si(i) films with low film density.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 595, Part B, 30 November 2015, Pages 235-238
Journal: Thin Solid Films - Volume 595, Part B, 30 November 2015, Pages 235-238
نویسندگان
Taiki Watanabe, Keisuke Ohdaira,