کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10669920 | 1008845 | 2012 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
In situ high-temperature scanning tunneling microscopy study of bilayer graphene growth on 6H-SiC(0001)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠Use of scanning tunneling microscopy at temperatures as high as 1395 K. ⺠Direct observation of graphene formation on SiC surfaces at the growth temperature. ⺠Identification of atomic-scale pathways for bilayer graphene growth.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 16, 1 June 2012, Pages 5289-5293
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 16, 1 June 2012, Pages 5289-5293
نویسندگان
Yuya Murata, V. Petrova, I. Petrov, S. Kodambaka,