کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
10669920 1008845 2012 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
In situ high-temperature scanning tunneling microscopy study of bilayer graphene growth on 6H-SiC(0001)
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
In situ high-temperature scanning tunneling microscopy study of bilayer graphene growth on 6H-SiC(0001)
چکیده انگلیسی
► Use of scanning tunneling microscopy at temperatures as high as 1395 K. ► Direct observation of graphene formation on SiC surfaces at the growth temperature. ► Identification of atomic-scale pathways for bilayer graphene growth.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 16, 1 June 2012, Pages 5289-5293
نویسندگان
, , , ,