کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10670004 | 1008846 | 2012 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Dielectric properties of parylene AF4 as low-k material for microelectronic applications
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Dielectric properties of parylene AF4 as low-k material for microelectronic applications Dielectric properties of parylene AF4 as low-k material for microelectronic applications](/preview/png/10670004.png)
چکیده انگلیسی
Using dielectric spectroscopy analysis, three relaxation mechanisms have been identified in 60% semi-crystalline parylene AF4 ([-F2C-C6H4-CF2-]n) fluoropolymers. At high temperature, fluorine species located at the electrode/polymer interface involve a space-charge polarization. β-Process assigned to local molecular motions of the C-F dipoles and the γ-relaxation due to local fluctuations of the F2C-C6H4 groups are also evidenced at intermediate and cryogenic temperatures respectively. Space-charge fluorine Fâ, β and γ relaxations obey an Arrhenius law against temperature with activation energy Ea (Fâ) = 1.26 eV, Ea (β) = 0.59 eV and Ea (γ) = 0.29 eV.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 7, 31 January 2012, Pages 2493-2497
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 7, 31 January 2012, Pages 2493-2497
نویسندگان
A. Kahouli, A. Sylvestre, F. Jomni, E. André, J.-L. Garden, B.Yangui B.Yangui, B. Berge, J. Legrand,