کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10670321 | 1008859 | 2012 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electrical transport properties and room-temperature positive magnetoresistance of Fe3O4/a-C/n-Si junctions
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Electrical transport properties and room-temperature positive magnetoresistance of Fe3O4/a-C/n-Si junctions Electrical transport properties and room-temperature positive magnetoresistance of Fe3O4/a-C/n-Si junctions](/preview/png/10670321.png)
چکیده انگلیسی
⺠Amorphous carbon layers of different thickness are inserted in Fe3O4/n-Si junctions. ⺠The current transport in thinner junctions is dominated by thermionic field emission. ⺠Tunneling is the dominant mechanism for the thicker junctions. ⺠Room-temperature PMR can be enhanced by increasing a-C layer thickness.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 9, 29 February 2012, Pages 3641-3646
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 9, 29 February 2012, Pages 3641-3646
نویسندگان
Z.W. Fan, P. Li, L.T. Zhang, W.B. Mi, E.Y. Jiang, H.L. Bai,