کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1549119 | 1512970 | 2015 | 55 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
III-Nitride nanowire optoelectronics
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Group-III nitride nanowire structures, including GaN, InN, AlN and their alloys, have been intensively studied in the past decade. Unique to this material system is that its energy bandgap can be tuned from the deep ultraviolet (~6.2Â eV for AlN) to the near infrared (~0.65Â eV for InN). In this article, we provide an overview on the recent progress made in III-nitride nanowire optoelectronic devices, including light emitting diodes, lasers, photodetectors, single photon sources, intraband devices, solar cells, and artificial photosynthesis. The present challenges and future prospects of III-nitride nanowire optoelectronic devices are also discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Progress in Quantum Electronics - Volume 44, November 2015, Pages 14-68
Journal: Progress in Quantum Electronics - Volume 44, November 2015, Pages 14-68
نویسندگان
Songrui Zhao, Hieu P.T. Nguyen, Md. G. Kibria, Zetian Mi,