کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1666559 | 1518080 | 2012 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Solution derived ZnO:Al films with low resistivity
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠2-Butoxyethanol as alternative for 2-methoxyethanol for precursor synthesis. ⺠Al:ZnO thin films with a strong preferential c-axis orientation are obtained. ⺠A forming gas anneal greatly improves the electrical properties. ⺠The addition of 1 at.% Al is found to improve the electrical properties.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 524, 1 December 2012, Pages 81-85
Journal: Thin Solid Films - Volume 524, 1 December 2012, Pages 81-85
نویسندگان
K. Schellens, B. Capon, C. De Dobbelaere, C. Detavernier, A. Hardy, M.K. Van Bael,