کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1667566 | 1008852 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Resistive switching characteristics of multilayered (HfO2/Al2O3)n n = 19 thin film
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Resistive switching characteristics of multilayered (HfO2/Al2O3)n n = 19 thin film Resistive switching characteristics of multilayered (HfO2/Al2O3)n n = 19 thin film](/preview/png/1667566.png)
چکیده انگلیسی
A transparent resistive random access memory used as Indium Tin Oxide (ITO) electrode, ITO/HfO2/Al2O3/…/HfO2/Al2O3/ITO capacitor structure is fabricated on glass substrate by atomic layer deposition. The unipolar resistive switching characteristics can be performed by applying the positive- or negative-bias through top electrode, however, the differences of switching and stability in the two different operations can be observed. The diversities of electrical property are attributed to different oxide/ITO interface materials, which influence the current flow of the injected electrons.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 8, 1 February 2012, Pages 3415–3418
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 8, 1 February 2012, Pages 3415–3418
نویسندگان
Wen-Hsien Tzeng, Chia-Wen Zhong, Kou-Chen Liu, Kow-Ming Chang, Horng-Chih Lin, Yi-Chun Chan, Chun-Chih Kuo, Feng-Yu Tsai, Ming Hong Tseng, Pang-Shiu Chen, Heng-Yuan Lee, Frederick Chen, Ming-Jinn Tsai,