کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1668656 | 1008872 | 2011 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ab initio calculation of Co2MnSi/semiconductor (SC, = GaAs, Ge) heterostructures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Within density function theory under the generalized gradient approximation, for ideal Co2MnSi/GaAs (001) and (110) multilayer structures, the CoSi–AsGa interfaces are found to be half-metallic. While the most stable (110) CoSi–GeGe interface, for the ideal Co2MnSi/Ge multilayer systems, is near half-metallic. Given the atomic disorder in the Co2MnSi/GaAs (001) ((110)) multilayer systems with the CoSi–AsGa interface, Co anti-site defect is more readily presented at the (001) ((110)) interface. These results show that the low tunneling magnetoresistance ratio or spin injection measured in Co2MnSi/GaAs (001) (or (110)) tunnel junction in some experiments may be relevant to the interfaced Co anti-site defect as well as interfacial structure.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 519, Issue 13, 29 April 2011, Pages 4400–4408
Journal: Thin Solid Films - Volume 519, Issue 13, 29 April 2011, Pages 4400–4408
نویسندگان
Li-Yong Chen, Su-Fang Wang, Yan Zhang, Jian-Min Zhang, Ke-Wei Xu,