کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1669157 | 1008879 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The influence of base doping density on the performance of evaporated poly-Si thin-film solar cells by solid-phase epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The phosphorous base doping dependence of evaporated poly-Si thin-film solar cell by aluminium-induced crystallization solid-phase epitaxy (ALICE) has been investigated. It is found that the open-circuit voltage (Voc) of the the poly-Si thin-film solar cell increases with the decrease of base doping density due to the defect-rich nature of poly-Si thin-film material and effectiveness of the back surface field. Meanwhile, the short-circuit current (Jsc) also increases with the decrease of the base doping density as a result of the reduced doping-induced defects. Therefore, the maximum Voc and Jsc are simultaneously achieved when the lowest phosphorous base doping density (~ 5.5 × 1015 cm− 3) is applied.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 519, Issue 1, 29 October 2010, Pages 475–478
Journal: Thin Solid Films - Volume 519, Issue 1, 29 October 2010, Pages 475–478
نویسندگان
Song He, Joachim Janssens, Johnson Wong, Alistair B. Sproul,