کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1669233 | 1008881 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Optimization of silicon nanocrystals growth process by low pressure chemical vapor deposition for non-volatile memory application
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
Non-volatile memory - حافظه بی ثباتWaiting time - زمان انتظارSiO2 - سیلیسیم دی اکسید یا سیلیس Si3N4 - سیلیسیم نیترید، سیلیکون نیتریدScanning electron microscopy - میکروسکوپ الکترونی روبشیTransmission electron microscopy - میکروسکوپ الکترونی عبوریNanocrystals - نانوکریستالLow pressure chemical vapor deposition - کم فشار مخلوط بخار شیمیایی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Optimization of silicon nanocrystals growth process by low pressure chemical vapor deposition for non-volatile memory application Optimization of silicon nanocrystals growth process by low pressure chemical vapor deposition for non-volatile memory application](/preview/png/1669233.png)
چکیده انگلیسی
The processes of silicon nanocrystals (Si-NCs) growth on both SiO2 and Si3N4 substrates by low pressure chemical vapor deposition have been systematically investigated. A two-step process was adopted for Si-NCs growth: nucleation at a high temperature (580-600 °C) and growth at a low temperature (550 °C). By adjusting the pre-deposition waiting time and deposition time, the density, size and uniformity can be effectively controlled. Compared to the growth of Si-NCs on SiO2, the coalescence speed of Si-NCs on Si3N4 is faster. Uniform Si-NCs with a high density of 1.02 Ã 1012 cmâ 2 and 1.14 Ã 1012 cmâ 2 have been obtained on SiO2 and Si3N4, respectively. Finally, a Si-NCs-based memory structure with a 2.1 V memory window was demonstrated.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 519, Issue 7, 31 January 2011, Pages 2146-2149
Journal: Thin Solid Films - Volume 519, Issue 7, 31 January 2011, Pages 2146-2149
نویسندگان
Yong Wang, Xiaonan Yang, Qin Wang, Shibing Long, Manhong Zhang, Zongliang Huo, Bo Zhang, Ming Liu,