کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1670341 | 1008899 | 2010 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Fluorination of silicon carbide thin films using pure F2 gas or XeF2
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Two fluorination methods: direct fluorination using F2 gas and fluorination by the decomposition of fluorinating agent XeF2 have been applied to silicon carbide SiC thin films in order to form a composite of carbide derived carbon film together with residual silicon carbide. Before and after fluorination, the thin films have been characterized by Scanning Electron Microscopy, Rutherford Backscattering spectroscopy, Fourier Transformed InfraRed and Raman spectroscopies. Whereas direct fluorination leads to irreversible damages into the thin films, XeF2 method allows a progressive etching of the silicon atoms and the formation of non-fluorinated carbon.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 518, Issue 23, 30 September 2010, Pages 6746-6751
Journal: Thin Solid Films - Volume 518, Issue 23, 30 September 2010, Pages 6746-6751
نویسندگان
Nicolas Batisse, Katia Guérin, Marc Dubois, André Hamwi, Laurent Spinelle, Eric Tomasella,