کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1670514 | 1008901 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
DC and low-frequency-noise characterization of epitaxially grown raised-emitter SiGe HBTs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
DC and low-frequency-noise characteristics of SiGe HBTs with a raised-emitter structure, fabricated by epitaxial growth of phosphorous-doped Si layers, were investigated. Experimental results indicate unexpected emitter-size dependencies of both base current and low-frequency noise, because mono–poly interfacial native oxides close to the intrinsic emitter-base junction are localized at the emitter periphery. The raised mono-Si emitter SiGe HBT with a scaled emitter exhibits low-frequency noise that is about ten times smaller than a conventional poly-Si emitter SiGe HBT.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 517, Issue 1, 3 November 2008, Pages 6–9
Journal: Thin Solid Films - Volume 517, Issue 1, 3 November 2008, Pages 6–9
نویسندگان
Katsuyoshi Washio,