کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1670553 | 1008901 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
GaAs on Ge for CMOS
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: GaAs on Ge for CMOS GaAs on Ge for CMOS](/preview/png/1670553.png)
چکیده انگلیسی
Selective epitaxial growth of GaAs on Ge is a prerequisite for the integration of GaAs and Ge in the sub-22 nm CMOS nodes. The problems encountered for epitaxial growth of GaAs on Ge are described and illustrated. Mainly the problem of anti-phase boundary (APB) formation is addressed. Selective epitaxial growth of GaAs on Ge with a SiO2 mask is discussed and selectively grown layers are characterized by X-ray diffraction, electron microscopy, defect etching and photoluminescence spectroscopy. An optimized growth procedure is presented, which simultaneously reduces loading effects and APB creation. Low temperature photoluminescence measurements show the good quality of the selectively grown GaAs on Ge.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 517, Issue 1, 3 November 2008, Pages 148–151
Journal: Thin Solid Films - Volume 517, Issue 1, 3 November 2008, Pages 148–151
نویسندگان
G. Brammertz, M. Caymax, M. Meuris, M. Heyns, Y. Mols, S. Degroote, M. Leys,