کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1671288 | 1008913 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Texture investigation in the trench depth direction of very fine copper wires less than 100 nm wide using electron backscatter diffraction
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We clarified the correlations between resistivity and microstructures in the depth direction of copper (Cu) wires. The resistivity of Cu wires increased with the polishing depth ΔH, and the influence of ΔH on resistivity increment was significant for 60 nm wide Cu wires. We attributed this to the fact that the deeper the depth and the finer the line width, the smaller are the grain sizes and the lower are the fractions of {111} textures and Σ3 coincident site lattice boundaries. Among the above factors, the grain size was the dominant factor determining the resistivity of less than 100 nm wide Cu wire.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 518, Issue 12, 2 April 2010, Pages 3413–3416
Journal: Thin Solid Films - Volume 518, Issue 12, 2 April 2010, Pages 3413–3416
نویسندگان
Khyoupin Khoo, Jin Onuki,