کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1672151 | 1008929 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Control of threshold voltage of organic field-effect transistors by space charge polarization
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We demonstrate organic field-effect transistors (OFETs) with an ion-dispersed polymer for the gate dielectrics. By applying external electric field (Vex), the dispersed ions can migrate by electrophoresis and separated ion pairs form space charge polarization in the gate dielectrics. After Vex was applied, the drain current is increased over 7 times and threshold voltage is decreased from − 12.9 V to − 2.9 V. The shift direction of Vth is controllable by the polarity of the Vex. Results of ultraviolet/visible differential absorption study reveal that the active layer of OFETs is charged not only electrostatically but electrochemically with increasing the time after Vex was applied.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 518, Issue 2, 30 November 2009, Pages 510–513
Journal: Thin Solid Films - Volume 518, Issue 2, 30 November 2009, Pages 510–513
نویسندگان
Heisuke Sakai, Koudai Konno, Hideyuki Murata,