کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1672826 | 1008940 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Passivation of pinhole defect microelectrode arrays in ultrathin silica films immobilized on gold substrates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Nanoscopic defects present in ultrathin (~ 6 nm) silica films covalently attached to gold substrates through a gold oxide layer exhibit a voltammetric response consistent with a random array of ultramicroelectrodes. These pinholes can be passivated via electrochemical polymerization of phenol to create insulating poly(phenylene) oxide plugs as documented by atomic force microscopy and infrared reflectance-absorbance spectroscopy. Passivation of pinholes is ~ 99.5% complete after 550 voltammetric cycles of oxidative electropolymerization.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 517, Issue 18, 31 July 2009, Pages 5399–5403
Journal: Thin Solid Films - Volume 517, Issue 18, 31 July 2009, Pages 5399–5403
نویسندگان
Piotr Macech, Jeanne E. Pemberton,