کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1673257 | 1008945 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A study on the origin of emission of the annealed n-ZnO/p-GaN heterostructure LED
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We report the effects of thermal annealing in air and N2 ambient on the structural, optical, and electrical properties of zinc oxide (ZnO) films deposited on a p-GaN substrate. Also, we report on the fabrication and device characterization of heterojunction light-emitting diodes based on the n-ZnO/p-GaN systems. In the case of N2 ambient, room-temperature electroluminescence (EL) in the violet region with peak wavelength 400 nm was observed under forward bias. In air ambient, EL spectrum consisted of a broad band from 400 nm to 700 nm due to the Ga–O mixed region formed interface between the ZnO and GaN layer.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 517, Issue 17, 1 July 2009, Pages 5157–5160
Journal: Thin Solid Films - Volume 517, Issue 17, 1 July 2009, Pages 5157–5160
نویسندگان
Ju Young Lee, Jong Hoon Lee, Hong Seung Kim, Chung-Hyun Lee, Hyung-Soo Ahn, Hyung Koun Cho, Young Yi Kim, Bo Hyun Kong, Ho Seong Lee,