کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1673833 | 1008953 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Recent advances in hot-wire CVD R&D at NREL: From 18% silicon heterojunction cells to silicon epitaxy at glass-compatible temperatures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Recent advances in hot-wire CVD R&D at NREL: From 18% silicon heterojunction cells to silicon epitaxy at glass-compatible temperatures Recent advances in hot-wire CVD R&D at NREL: From 18% silicon heterojunction cells to silicon epitaxy at glass-compatible temperatures](/preview/png/1673833.png)
چکیده انگلیسی
Our research aiming to improve silicon photovoltaic materials and devices extensively utilizes hot-wire chemical vapor deposition (HWCVD). We have recently achieved 18.2% heterojunction silicon solar cells by applying HWCVD a-Si:H front and back contacts to textured p-type silicon wafers. This is the best reported p-wafer heterojunction solar cell by any technique. We have also dramatically improved the quality of HWCVD silicon epitaxy and recently achieved 11 μm of epitaxial growth at a rate of 110 nm/min.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 516, Issue 5, 15 January 2008, Pages 743–746
Journal: Thin Solid Films - Volume 516, Issue 5, 15 January 2008, Pages 743–746
نویسندگان
Howard M. Branz, Charles W. Teplin, David L. Young, Matthew R. Page, Eugene Iwaniczko, Lorenzo Roybal, Russell Bauer, A. Harv Mahan, Yueqin Xu, Pauls Stradins, Tihu Wang, Qi Wang,