کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1674374 | 1008962 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Reduction of thermal oxide desorption etching on gallium arsenide
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Reduction of thermal oxide desorption etching on gallium arsenide Reduction of thermal oxide desorption etching on gallium arsenide](/preview/png/1674374.png)
چکیده انگلیسی
We describe an in-situ method for inhibiting surface roughening during the thermal removal of the GaAs native oxide layer based on a thin sacrificial GaAs film deposited on top of the native oxide layer prior to sample heating. The required thickness of the sacrificial film is calculated to be of the order of 5 nm, fitting well with the experimental results. Atomic force microscopy and reflection high-energy electron diffraction indicate improvement in the surface smoothness, from an RMS roughness of 2.3 nm to 0.5 nm, while inhibiting the inherent pit formation commonly associated with thermal desorption.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 515, Issue 10, 26 March 2007, Pages 4419–4422
Journal: Thin Solid Films - Volume 515, Issue 10, 26 March 2007, Pages 4419–4422
نویسندگان
A.F. Pun, X. Wang, S.M. Durbin, J.P. Zheng,