کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1674379 | 1008962 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
1.31 μm GaAs-based heterojunction p–i–n photodetectors using InGaAsNSb as the intrinsic layer grown by molecular beam epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
GaAs-based double-heterojunction p–i–n photodetectors using InzGa1−zAs1−x−yNxSby in the i-layer are fabricated for the first time using the solid source molecular beam epitaxy growth method. A peak responsivity of ∼ 0.29 A/W, corresponding to quantum efficiencies (QE) of 38% is attained from the best p–i–n device between 0.9 and 1.1 μm. The dark current is ∼ 70 nA at a reverse bias of 2 V and the cutoff wavelength reaches ∼ 1.4 μm. The surfactant effect generated by the presence of Sb in this material allows thick high quality dilute nitride material growth. A Sb-free p–i–n device consisting of InGaAsN/GaAs is also fabricated to compare the device performance with the InGaAsNSb/GaAs p–i–n devices.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 515, Issue 10, 26 March 2007, Pages 4441–4444
Journal: Thin Solid Films - Volume 515, Issue 10, 26 March 2007, Pages 4441–4444
نویسندگان
W.K. Cheah, W.J. Fan, S.F. Yoon, D.H. Zhang, B.K. Ng, W.K. Loke, R. Liu, A.T.S. Wee,