کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1675361 | 1518096 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The properties of Ru on Ta-based barriers
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The properties for Ru/Ta and Ru/TaN bi-layer on Si substrate were investigated. The Ru, Ta and TaN films were deposited by ion beam sputtering technology and were annealed at temperatures ranging from 300 °C to 900 °C in high purity N2 ambient. The phase formation, microstructure evolution and thermal stability for the Ru/Ta/Si and Ru/TaN/Si structures were investigated. Results show that adding the Ta or TaN layer between Ru and Si delays the reaction of Ru with Si. The Ru/TaN bi-layer is more stable on Si and shows better diffusion barrier property than the Ru/Ta bi-layer.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 504, Issues 1–2, 10 May 2006, Pages 231–234
Journal: Thin Solid Films - Volume 504, Issues 1–2, 10 May 2006, Pages 231–234
نویسندگان
Jing-Jing Tan, Xin-Ping Qu, Qi Xie, Yi Zhou, Guo-Ping Ru,