کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5466040 | 1517976 | 2017 | 32 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A theoretical model incorporating both the nano-scale material removal and wafer global uniformity during planarization process
ترجمه فارسی عنوان
یک مدل نظری که شامل حذف مواد مغناطیسی نانو و هماهنگی جهانی ورقه ای در طی روند پلاریزازی است
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
ماشینکاری مکانیکی شیمیایی، مدلسازی را بپوشانید خوردگی ضد زنگ، نقشه برداری،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
چکیده انگلیسی
In the ultra large-scale integration process, as chemical mechanical polishing (CMP) is developing to higher precision, nano level planarity and sub-nano level roughness of wafer surfaces become key problems to be overcome. In this work, a theoretical model for local and total material removal was proposed based on the particle sliding trajectories and chemical-mechanical synergy, and the material removal distribution on wafer surface were analyzed. Furthermore, the chemical-mechanical mechanism was studied and synergy maps constructed. It is found that the passivation-wear and additive-synergistic effects dominate the material removal during CMP. This study establishes a correlation mechanism between the nano material removal and global uniformity of wafer surfaces, which provides theoretical and experimental framework for optimizing the slurry and the process parameters.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 636, 31 August 2017, Pages 240-246
Journal: Thin Solid Films - Volume 636, 31 August 2017, Pages 240-246
نویسندگان
Jing Li, Zhenghong Wei, Tongqing Wang, Jie Cheng, Qingqiang He,