کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5466585 | 1398906 | 2016 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Annealing effects on SiOxNy thin films: Optical and morphological properties
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Annealing effects on SiOxNy thin films: Optical and morphological properties Annealing effects on SiOxNy thin films: Optical and morphological properties](/preview/png/5466585.png)
چکیده انگلیسی
The annealing effect on the properties of silicon oxynitride (SiOxNy) thin films has been investigated. The present contribution aims to study the structural and optical properties of SiOxNy thin films deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition in view of their application in the field of photovoltaics. Evolution of the surface morphology and increase of the optical band gap with the thermal treatment have been determined and discussed in view of the application of the film as an emitter layer in heterojunction solar cells.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 617, Part B, 30 October 2016, Pages 133-137
Journal: Thin Solid Films - Volume 617, Part B, 30 October 2016, Pages 133-137
نویسندگان
M. Perani, N. Brinkmann, M.A. Fazio, A. Hammud, B. Terheiden, D. Cavalcoli,