کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
7748215 1498754 2013 17 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Energy-enhanced atomic layer deposition for more process and precursor versatility
ترجمه فارسی عنوان
اتمسفر لایه اتمی برای افزایش فرآیند و تنوع پذیری پیشرو
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی معدنی
چکیده انگلیسی

- Energy-enhanced ALD allows for a wider choice of precursors.
- More stable precursors allow for higher deposition temperatures to be reached.
- Energy-enhanced ALD enables low-temperature, and even room-temperature, ALD.
- Good to fair films can be deposited at room temperature with energy-enhanced ALD.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Coordination Chemistry Reviews - Volume 257, Issues 23–24, December 2013, Pages 3254-3270
نویسندگان
, ,