کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7748215 | 1498754 | 2013 | 17 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Energy-enhanced atomic layer deposition for more process and precursor versatility
ترجمه فارسی عنوان
اتمسفر لایه اتمی برای افزایش فرآیند و تنوع پذیری پیشرو
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
CPXη5-pentamethylcyclopentadienylFourier transform infrared (spectroscopy)CpmETrimethylaluminiumPlasma-enhanced ALDMBEEADsIPRTHDtBuCCPTMARTPTTIPICPGPCCp* - CP *DFT - DFTALD - آدرنولکودیستروفیMolecular beam epitaxy - اپیتاکسی پرتو مولکولیRoom temperature - دمای اتاقAtomic layer deposition - رسوب لایه اتمیFT-IR - طیف سنجی مادون قرمز تبدیل فوریهEnthalpy of adsorption - عمیق جذبRadio-frequency - فرکانس رادیوDensity functional theory - نظریه تابعی چگالیInductively-coupled plasma - پلاسما همراه با انسدادPrecursors - پیشروان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی معدنی
چکیده انگلیسی
- Energy-enhanced ALD allows for a wider choice of precursors.
- More stable precursors allow for higher deposition temperatures to be reached.
- Energy-enhanced ALD enables low-temperature, and even room-temperature, ALD.
- Good to fair films can be deposited at room temperature with energy-enhanced ALD.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Coordination Chemistry Reviews - Volume 257, Issues 23â24, December 2013, Pages 3254-3270
Journal: Coordination Chemistry Reviews - Volume 257, Issues 23â24, December 2013, Pages 3254-3270
نویسندگان
S.E. Potts, W.M.M. Kessels,