کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8034314 | 1518023 | 2015 | 16 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Epitaxial Cu2ZnSnSe4 layers by annealing of Sn/Cu/ZnSe(001) precursors on GaAs(001)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We report on the fabrication of epitaxial Cu2ZnSnSe4 films by a two-step fabrication approach. An epitaxial ZnSe(001) layer on GaAs(001) is grown by molecular-beam epitaxy followed by sequential deposition of Cu and Sn. The Sn/Cu/ZnSe(001) precursor is then thermally annealed in a selenium atmosphere. Raman spectroscopy confirms the presence of the kesterite phase. Electron microscopy shows that the films exhibit monocrystalline regions of several micrometers in size with inclusions of smaller grains with a different chemical composition. The latter is confirmed by electron backscatter diffraction measurements which prove the conservation of the crystal orientation defined by the cubic ZnSe/GaAs(001) precursor structure throughout the whole CZTSe film.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 582, 1 May 2015, Pages 158-161
Journal: Thin Solid Films - Volume 582, 1 May 2015, Pages 158-161
نویسندگان
Christoph Krämmer, Johannes Sachs, Lukas Pfaffmann, Timo Musiol, Mario Lang, Chao Gao, Dagmar Gerthsen, Heinz Kalt, Michael Powalla, Michael Hetterich,