کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
8034351 1518023 2015 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Epitaxial Cu2ZnSnSe4 thin films and devices
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Epitaxial Cu2ZnSnSe4 thin films and devices
چکیده انگلیسی
Epitaxial Cu2ZnSnSe4 (CZTSe) thin films have been grown via high temperature coevaporation on GaAs(001). Electron backscattering diffraction confirms epitaxy in a wide compositional range. Different secondary phases are present in the epitaxial layer. The main secondary phases are Cu2SnSe3 and ZnSe which grow epitaxially on top of the CZTSe. Transmission electron microscopy measurements show that the epitaxial CZTSe grows predominantly parallel to the c-direction. Epitaxial CZTSe solar cells with a maximum power conversion efficiency of 2.1%, an open-circuit voltage of 223 mV and a current density of 16 mA/cm2 are presented.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 582, 1 May 2015, Pages 193-197
نویسندگان
, , , , , , ,