کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8035101 | 1518047 | 2014 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Surfactant-mediated epitaxy of silicon germanium films on silicon (001) substrates
ترجمه فارسی عنوان
اپیتاکسای سرسیفکتانت از فیلمهای ژرمانیوم سیلیکون بر روی سیلیکون (001)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
چکیده انگلیسی
We report on the surfactant-mediated epitaxy (SME) of Si1 -xGex films with x = 0.23-1 on Si(001) using antimony as surfactant. We observe a transition in strain relaxation at a critical composition xT = 0.58-0.66. Above this value full relaxation is achieved by a network of full edge dislocation confined to the interface in analogy to SME of pure germanium on Si(001). 100 nm thick Si1 âxGex films with surface roughness values less than 1 nm and abrupt interfaces are obtained, as the surfactant reduces strain induced roughening and hinders interdiffusion.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 557, 30 April 2014, Pages 27-30
Journal: Thin Solid Films - Volume 557, 30 April 2014, Pages 27-30
نویسندگان
T.F. Wietler, J. Schmidt, D. Tetzlaff, E. Bugiel,