کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8035176 | 1518047 | 2014 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Improved depth resolution of secondary ion mass spectrometry profiles in diamond: A quantitative analysis of the delta-doping
ترجمه فارسی عنوان
بهبود عمق پروفیل طیف سنج جرمی ثانویه در الماس: یک تجزیه و تحلیل کمی از دوپینگ دلتا
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
الماس، دلتا دوپینگ، سیمز، عملکرد رزولوشن عمق،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
چکیده انگلیسی
In this work, we used the depth resolution function (DRF) of the secondary ion mass spectrometry (SIMS) to deconvolve the boron depth profile of nanometer-thin embedded diamond layers. Thanks to an isotopic change within a thin layer, where carbon-12 (12C) and carbon-13 (13C) are substituted, the DRF was evaluated by a self-consistent algorithm. In a second step, this DRF was used to deconvolve the boron depth profile of a double delta-doped diamond analyzed under the same ion beam condition. The expected position, thickness, and boron concentration of the embedded layers were confirmed. This technique has enhanced the SIMS performance, and the depth resolution reached the nanometer range. Interface widths of boron-doped diamond multilayers were resolved well below 1 nm/decade over a large doping range, from 3 Ã 1016 cmâ 3 to 1.2 Ã 1021 cmâ 3, and confirmed a conformal growth layer by layer.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 557, 30 April 2014, Pages 222-226
Journal: Thin Solid Films - Volume 557, 30 April 2014, Pages 222-226
نویسندگان
Alexandre Fiori, François Jomard, Tokuyuki Teraji, Gauthier Chicot, Etienne Bustarret,