کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8035210 | 1518047 | 2014 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effects of extended poly gate on the performance of strained P-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with a narrow channel width
ترجمه فارسی عنوان
اثرات گیت پلیت بلند بر روی عملکرد ترانزیستورهای میدان مغناطیسی فلزات-اکسید نیمه هادی فلزی با پهنای کانال باریک
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
چکیده انگلیسی
This study investigates the mechanical impacts of extended gate widths on the mobility gains of p-type MOSFETs. The selected MOSFET has a SiGe stressor embedded in its source and drain regions, as well as a compressive contact etch stop layer. Three-dimensional finite element simulation is performed to emulate the stress contour within the Si channel and estimate the related mobility gain. Sensitivity analyses of the simulation results using factorial designs and response surface methodology indicate that stresses within the Si channel are induced by a bending force determined by the extension of the poly width. A significant enhancement in mobility gain is found when an extended poly width combined with proper arrangements of the device geometry is applied.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 557, 30 April 2014, Pages 311-315
Journal: Thin Solid Films - Volume 557, 30 April 2014, Pages 311-315
نویسندگان
Chang-Chun Lee, Chuan-Hsi Liu, Hung-Wen Hsu, Min-Hui Hung,