کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8037159 | 1518073 | 2013 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of dopants and thermal treatment on properties of Ga-Al-ZnO thin films fabricated by hetero targets sputtering system
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Ga and Al doped ZnO thin films were prepared by hetero targets sputtering system. ⺠Free electrons were increased due to the continuous substitutions of Ga and Al. ⺠Crystallinity was improved by recombination of particles with increasing of temperature.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 531, 15 March 2013, Pages 238-242
Journal: Thin Solid Films - Volume 531, 15 March 2013, Pages 238-242
نویسندگان
JeongSoo Hong, Nobuhiro Matsushita, KyungHwan Kim,