کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8037437 | 1518077 | 2013 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Thermal oxidation and encapsulation of silicon-carbon nanolayers
ترجمه فارسی عنوان
اکسیداسیون حرارتی و انکپسوله کردن نانولوله های سیلیکون-کربن
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
پوسیدگی بخار شیمیایی، سیلیکون، کاربید سیلیکون، انلینگ، اکسیداسیون، طیف سنجی مادون قرمز تبدیل فوریه، کپسوله سازی،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
چکیده انگلیسی
⺠Annealing Si-C nanolayers in quartz furnaces in N2 produces 5-14 nm thermal SiO2. ⺠Annealing Si-C films under Ar using graphitic carriers produces 1-2 nm SiOxCy. ⺠Capping the Si-C film with a-Si:H prevents oxidation of the Si-C film. ⺠After annealing, the a-Si:H is removed with the Si-C film fully intact.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 527, 1 January 2013, Pages 193-199
Journal: Thin Solid Films - Volume 527, 1 January 2013, Pages 193-199
نویسندگان
Manuel Schnabel, Philipp Löper, Sebastian Gutsch, Peter R. Wilshaw, Stefan Janz,